-
Liptai 立泰电子公司专注于肖特基、高压平面MOS、CoolMOS、中低压MOS、SGTMOS、IGBT等产品，开发新型IGBT和碳化硅系列产品。
-
Sinopower 大中集成电路台湾大中集成电路(股份)有限公司 创立于2008年8月，为一家专业功率半导体组件(MOSFET & IGBT) 及高压集成电路(HV IC) 的设计公司。
-
Super 超致半导体是全球首家超结IGBT器件原厂，也是国内首家多层外延超结MOS原厂。 公司专注功率半导体器件的研发和创新，产品涵盖范围广，包括高压超结MOS、中低压SGT-MOS、超结IGBT、SiC-MOS以及SiC-SBD等。 公司产品定位高端，高压MOS采用国际主流的多层外延工艺，在性能和可靠性等方面得到市场的充分肯定，且在主要应用领域服务于头部客户，应用范围包括UPS、服务器电源、充电桩、OBC等工业市场。 我们的超结IGBT，在传统IGBT的基础上做了技术创新，关键参数均得到明显提升，特点包括：更高的电流密度、更低的开关损耗、更小的封装形式。
-
深圳倾佳深圳市倾佳电子有限公司-专业功率半导体(IGBT单管，IGBT模块，碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN)以及新能源汽车连接器分销商，致力于服务中国工业电源及新能源汽车制造商。 在新能源汽车中，高压连接器是极其重要的元部件，整车、充电设施上均有应用。 整车上高压连接器主要应用场景有：DC、水暖PTC充电机、风暖PTC、直流充电口、动力电机、高压线束、维修开关、逆变器、动力电池、高压箱、电动空调、交流充电口等。 近年来，倾佳电子-着力推广国产碳化硅SiC功率器件，国产SiC-MOSFET，国产SiC-MOSFET功率模块，国产氮化镓GaN HEMT以及配套的隔离驱动IC，自举驱动IC,不断在高压汽车电驱系统、高压快充桩 除了车载应用，SiC碳化硅的替代IGBT方案开始在工业的UPS系统（不间断电源）、轨道交通等领域推出。
-
CT-ConceptCT-Concept 科技股份公司 是一个全球性的技术和市场领导者，IGBT驱动器的部门中高功率。 该公司的产品在一系列高压功率转换应用，包括工业电机驱动，可再生能源发电，电动火车和有轨电车，高压直流输电，电动汽车和医疗设备使用。
-
Maplesemi 美浦森半导体公司产品线包括：高中低压全系列（Trench/SGT MOSFET、 超结MOSFET、Planar MOSFET）、碳化硅系列（SiC Diode/MOSFET）、IGBT系列（单管/模块），其广泛应用于 主要产品高压MOSFET中低压MOSFET超结MOSFET碳化硅DIODE碳化硅MOSFETFRDIGBT
-
JIAENSEMI 佳恩半导体4A轮融资荣誉资质主要产品IGBT单管、IGBT模块、MOSFET、FRD应用领域变频器变频器，是应用变频微电子技术来实现变频调速功能的设备，广泛应用于各大工控领域。 其中变频器能够实现变频的核心就是逆变部分，逆变部分的核心便是IGBT,IGBT在MCU的控制下，源源不断的为负载提供动力，并灵活的控制负载的转速。 伺服驱动器逆变部分主要功率器件有MOS,IGBT,IPM等，发展趋势是IGBT、IPM占主导。 先通过整流将工频电转化为直流，经滤波后，控制IGBT或MOS将直流电转化为20KHz-40KHz的高频高压交流电，高频高压环状电流（涡流）经过线圈产生交变磁场，使铁质器皿等本身发热，实现电能到热能的转换 高压净化电源油烟净化电源是高压电源的一种，是油烟净化设备的关键部件，主要用于产生高压静电电场，通过高压电场的作用使空气电离，并使带有油烟的气体中油烟颗粒带电，带电的油烟粒子在电场的作用下受力而定向运动从而吸附在油烟收集电极板上
-
LONTEN 龙腾半导体公司已形成高压超结功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、屏蔽栅沟槽型（SGT）功率MOSFET、低压沟槽型功率MOSFET、高压平面功率MOSFET及功率模块等完整的功率器件产品系列。
-
Power Integrations（PI） 包尔英特PI的SCALE™ IGBT驱动器可提高大功率应用的效率、可靠性和成本效益，其应用领域包括工业电机、太阳能和风能系统、电动汽车和高压直流输电等。 主要产品电缆和电线分立器件电源管理电源
-
LXPSEMI 澜芯半导体上海澜芯半导体有限公司 成立于2022年6月，公司总部坐落于上海嘉定，在张江设有研发中心，是一家全栈功率芯片设计公司，产品包含碳化硅MOSFET，硅基IGBT, MOSFET等相关芯片、单管和功率模块产品 IGBT澜芯IGBT芯片采用先进的微沟槽器件结构，产品具有更低的导通压降与更小的开关损耗。 SJ MOSFET为适应电源系统高效率小型化的需求，澜芯半导体推出了超结高压MOSFET, SJ MOSFET具有更快的开关速度，可以大大提高系统效率、降低发热量，还可以简化系统EMI设计。
-
2023年中国IGBT芯片细分应用领域分析 高压IGBT打破国外技术垄断2023-03-15
