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HC Semitek 华灿光电LED芯片的发光原理为：利用PN结，在外电场的驱使下，N型半导体中的电子和P型半导体中的空穴在结界面处复合成光子（e-+h+=hv），实现电能到光能的转化。
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明芯微电子目前正在投入6000万元，建设一条5英寸芯片生产线，公司在PN结保护、产品结构设计、工艺制作方面拥有多项发明和实用新型专利。
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Wafer China 唐晶量子砷化镓光电二极管（PD）是一种基于PN结的光探测器。是将光子转化为电子，从而产生光电流。可应用于光通信、光纤传感、光学成像、光谱分析等领域。 砷化镓 HBT产品应用描述砷化镓 HBT（Heterojunction Bipolar Transistor）是一种异质结双极晶体管，该结构具有高电子迁移率和较低的基本收缩效应，砷化镓 HBT主要应用于高速放大器
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CST 斯太宝科技震动、腐蚀、光照等）◆ 低功耗、小体积、易组装◆ 适宜于大规模生产，低成本◆ 环境友好、无污染（2）常见的温度传感器包括：热电阻、热敏电阻（NTC以及PTC）、热电偶（热电堆）、半导体温度传感器（包括PN 结、KTY、三极管等）。
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中科院上海微系统所六十年代中期，发展微电子和集成电路制造技术，与工业部门合作研制出国内第一块工业实用PN结隔离集成电路、ECL高速电路和国内第一块8位、16位微处理器。
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Runxin 润新微电子高阈值电压，抗干扰能力强润新微电子氮化镓功率器件的阈值电压可定制在4伏左右，与传统的高压超结MOS管的阈值电压一致，栅驱动抗干扰能力更强，避免器件在开关过程中因振铃引起的误导通而炸管。 高击穿电压，高可靠性润新微电子氮化镓功率器件没有pn结，不具备类似于硅器件的雪崩击穿能力，通常在额定电压上留足耐压裕量。
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EPIHOUSE 全磊光电PD的工作原理为(1)探测器PN结形成内建电场；(2)光入射到半导体内产生电子空穴对，并在电场作用下定向流动而产生光电流；(3)光电流导出为输出信号。
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解读半导体基础，材料与结构2020-04-13
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解析光电传感器器件之光电池的结构原理2019-09-26
