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SSDI （Solid State Devices, Inc.）成立于1967年，作为先锋的半导体制造商超过45年，我们已经赢得和保持了良好的声誉，设计最高标准的可靠性和性能，这种声誉建立在我们的无与伦比的技术和质量，在高密度/高功率、高电压半导体分立器件和模块领域的 主要产品整流器、肖特基二极管、晶体管、场效应管、稳压管应用领域工业/自动化 军事/国防
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AchronixAchronix是唯一一家提供高密度和高性能应用目标现场可编程门阵列(FPGAs)的公司。 Achronix的FPGA名为Speedster 22i，基于英特尔先进的22纳米工艺制造，采用3-D三栅极晶体管，是首款包含面向通信应用的完全集成硬IP协议功能的FPGA。
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驰拓科技它具有无限擦写次数、抗辐射、宽工作温度范围等特性，但难以进一步突破密度和功耗限制。 STT-MRAM具有结构简单、存储密度高、功耗低、速度快等优势。 2011年日本东北大学展示了垂直磁化的CoFeB/MgO/MgO磁性隧道结（MTJ），基于垂直磁化的MTJ的写入电流具有更好的可微缩性，在先进工艺节点、高密度存储需求中拥有巨大的应用潜力。 eMRAM 技术简介半导体技术的发展历程可以追溯到上世纪40年代，自晶体管发明以来，集成电路的特征尺寸已经从微米级别进入纳米级别。 随着摩尔定律的演进，晶体管先后经历了平面结构、Fin场效应晶体管（FinFET）和环绕式栅极晶体管(Gate-All-Around）等阶段，其密度、性能和能效不断提高。
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UnitedSiC 联合碳化硅幸运的是，过去几十年对宽带隙研究的投资现已形成成熟的 SiC 功率器件供应链，从根本上改变了主流功率转换器的效率和功率密度。 致力于技术领先我们的技术为我们的客户提供了最简单的途径来升级他们的传统电源设计或以最小的努力在他们的新设计中获得最高的功率密度。 此外，我们拥有 SiC 器件中性能最高的体二极管、最低的温度 Qrr、近 5V 的 EMI 抗扰度阈值电压以及出色的短路额定值。所有这一切都伴随着业界最广泛的 SiC 分立晶体管产品组合。
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Toshiba Semiconductor & Storage分立半导体是指二极管和晶体管等单功能半导体；它们是促进节能的关键元件。这个部门凭借多年磨练的能力，成功地为三大产品类别（功率器件、小信号器件和光耦）提供了各种高性能和高可靠性的产品。 存储产品部门存储产品部门将开发、制造和供应各种创新的存储产品，包括用于数据中心的高密度近线硬盘（重点产品）以及其它适用于企业服务器、PC、监视系统、NAS、录音机、游戏和车载应用的硬盘。
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LYG 凌烟阁芯片IP/EDA解决方案基础IPDTCODesign Technology co-0ptimization先进制程是指可以把晶体管尺寸做得更细小的制造技术，制造工序繁多目复杂，传统的晶圆切割道结构测试. (wafer Acceptance Test, WAT)以测量组件的电流与电压关系为主，只能监控组件的静态特性，但是这样的信息已不足够，随着先讲制程的不断推进,在过去依情的產尔定律预测「是片上面的晶体管数目在 |也遇到了瓶颈，增加晶体管密度的代价高昂且能效优化的速度也开始趋缓慢，设计技术协同优化 (Design Technology Co-Optimization,DTc0)可以是从工艺的视角出发往电路设计的方向进行优化 效能监控电路部件之所以重要，是因为品圆厂会提供不同临界电压 (hresholdvoltage,VD的晶体管供客户选用，客户可以组合这些晶体管进行设计，以满足芯片的高效能和低功耗目标。 在我们的 PMAP 20中的环形振荡传感器就有11种设计，分别使用不同的晶体管和逻辑门所构成，可以有效放大并量测不同晶体管的电性参数。
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Ciying 慈盈计量检测产品中心力学检测设备落球冲击试验机，万能试验机，双柱电脑伺服拉力试验机环境检测设备冷热冲击试验箱，三综合试验箱，氙灯老化试验箱，淋雨试验箱，精密烤箱（防爆烤箱），线性温变试验箱，IP56淋雨防水试验箱，IP3456摆管淋雨试验箱 沙尘试验箱长度检测设备粗糙度轮廓仪，影像测量仪，一键闪测仪，闪拼资质荣誉检测设备长度计量器具卡尺、千分尺、线纹尺、激光比长仪、工具显微镜、百分表、GPS接收机、影像仪、光波长计力学计量器具砝码、天平、衡器、密度计 恒温恒湿、盐雾试验箱、数据采集器声学计量器具标准传声器、声级计 、超声功率源、超声功率计、超声探伤仪、听力计、滤波器、超声测厚仪无线电计量器具高频电压标准、微电位计、音频分析仪、阻抗分析仪、干扰场强仪、晶体管图示仪 γ表面污染测量仪、治疗水平电离室剂量计、医用诊断 X 辐射源、个人剂量与剂量率仪、辐射元件时间频率计量器具铯原子频标、时间检定仪、秒表、频率计、计时器、计数器、继电器 、毫秒仪、电话计费器检定仪、石英晶体振荡器物理化学计量器具浊度计
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LEAPSIC 嘉展力芯半导体青岛嘉展力芯半导体有限责任公司 成立于2021年，公司坐落于青岛嘉展智谷智慧园区，嘉展力芯是一家致力于研发与生产第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块的高科技企业，是国内一家拥有车规级碳化硅MOS管、二极管尖端技术的企业 碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的IGBT相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，利用其工作特性，可以用于更高的工作频率 混合碳化硅模块碳化硅（SiC）二极管和晶体管是现代电力电子解决方案和创新电力电子解决方案的关键组件，旨在实现超高功率密度和效率。 通过将芯片与功率模块中的硅功率器件结合，可以实现这些目标。 特别是碳化硅二极管，它是进一步扩展 IGBT技术的重要部分。 碳化硅二极管、碳化硅三极管
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华燊泰科技这样的趋势下，LED 照明无论在居家、商业或工业领域的渗透度，皆有大幅度成长，利用氮化镓 (GaN) 的高频高效特性，基于 GaN 功率晶体管设计的 LED 驱动器，将为 LED 照明带来改变竞局的能效提升 电动汽车的电源系统可以突破传统器件的温度和电压限制，而实现更快的开关速度和更高的功率密度，使用碳化硅MOSFET的动力系统更小、更轻、更高效，可以减少近80%的功率损耗，还可以将车辆的行驶距离延长10% 与传统硅器件相比，华燊泰科技的碳化硅 MOSFET 和二极管具有更高的性能和更低的损耗，同时允许能源系统工程师设计出更轻便的系统，降低整体系统尺寸和成本。 应用场景光伏逆变器不间断电源与传统架构相比，华燊泰科技的碳化硅器件为系统提供 35% 的功率密度提升，在相同的尺寸下实现更丰沛的电量储备。 华燊泰科技的碳化硅 MOSFET 和二极管可减少能源损耗，缩减系统尺寸，并且提供更高的功率密度。
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Wafer China 唐晶量子高功率VCSEL产品的输出功率通常在几百毫瓦至几瓦之间，相对于传统的激光二极管（LD）而言，其功率密度更高，输出波长更单一。 VCSEL产品与传统的激光二极管（LD）相比，具有较小的发散角度、更好的空间一致性、更低的热效应等优点。 砷化镓 EEL/PD产品应用描述砷化镓边发射激光器(EEL) 和光电二极管（PD）是一种基于砷化镓（砷化镓）半导体材料的光电子元件。 砷化镓 HBT产品应用描述砷化镓 HBT（Heterojunction Bipolar Transistor）是一种异质结双极晶体管，该结构具有高电子迁移率和较低的基本收缩效应，砷化镓 HBT主要应用于高速放大器 PD光电二极管具有高灵敏度和高响应速度等特点。工作波长一般在1300nm和1550nm窗口，可应用于光通信、光传感等领域。荣誉资质
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2nm制程芯片首发！实现重大突破2021-05-08
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台积电5nm晶体管密度每平方毫米超1.7亿个2020-03-26
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台积电5nm晶体管密度比7nm提高88％2020-03-25
