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严选磷化铟光芯片厂家，提供从磷化铟光芯片设计、研发、生产制造深耕产品，打造值得信赖的传感器品牌，解决选品、技术支持问题，实现采购放心、售后无忧。
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CSPC 国科光芯国科光芯（海宁）科技股份有限公司 创立于2019年4月，总部位于浙江海宁。是一家集材料工艺、芯片设计、集成封装、光电子器件、应用算法、系统集成等综合能力的国家高新技术企业。 公司是国内为数不多具备完整工艺能力的氮化硅硅光芯片企业，以超低损耗SiN材料为基础，目前已成功开发出窄线宽和可调谐相干光源、FMCW激光雷达光引擎等芯片及应用产品，可广泛应用于激光雷达、相干光通信、光纤传感 特色氮化硅硅光新一代硅光技术● 硅光技术是利用硅基光波导技术和CMOS兼容工艺，实现对光操控的芯片技术，是众多产业的核心技术。 ● 氮化硅硅光作为新一类硅光材料，相比传统硅材料，具有损耗低、光谱范围大、可承载光功率大等突出优点。● 氮化硅硅光芯片是优异的多材料异质异构平台，可集成磷化铟（InP）、铌酸锂（LiNbO₃）等材料。 主要产品光传感 Optical SensingFMCW激光雷达光引擎 消费类激光雷达可调谐窄线宽光源光数通 Optical Digital Communication数通异质集成光芯片相干光芯片
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Scintil Photonics法国 SCINTIL Photonics 是一家无晶圆厂公司，开发和销售集成激光器和光放大器的硅光子器件，用于数据中心、HPC和5/6G基础设施中的高速光互连。 其解决方案将硅（Si）和磷化铟（InP）光子学的精华与硅上III-V族芯片到晶圆的键合相结合，并利用商业半导体代工厂大规模生产其增强型硅光子集成电路（PIC）。
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Wincosemi 华辰芯光公司目标是在5年内成为砷化稼（GaAs））和磷化铟（InP）领域亚洲最大的光通信和激光雷达用激光芯片制造中心。华辰芯光拥有一个研制激光芯片全流程成建制海外归国专家创业团队。 公司采用IDM模式生产芯片 ，自建了芯片设计平台、材料生长平台、器件前端工艺平台、器件后端工艺平台、可效性与机理分析平台、封装测试平台等激光芯片全流程研发和制造功能模块，并且每个功能模块华辰芯光都掌握有大量的 华辰芯光的光通信芯片可以应用于核心网、骨干网、城域网、数据中心互联等领域。 华辰芯片也是国内最快研制出面向800G光模块所用的100G PMA4 VCSEL光芯片的国内厂商，100G PAM4 VCSEL正常工作电流在9mA，华辰100G PAM4 VCSEL在电流8mA下达到了 在激光雷达领域，公司已量产了面向卫星通信、汽车无人驾驶等ToF1550nm激光雷达产品用的高可靠的泵浦激光芯片，华辰芯光每年可以为国内外提供超过1000万颗激光雷达用光芯片。
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CAVPIC 凯伟佩科基于母公司国科光芯作为国内为数不多具备完整工艺能力的基于氮化硅（SiN）的硅光芯片平台，CAVPIC以超低损耗氮化硅材料为基础，目前已成功开发出宽调谐窄线宽扫频激光器、大功率可调谐窄线宽激光器等产品，可广泛应用于激光雷达 （LiDAR）、数通光模块、相干光通信、光纤传感、光学相干断层成像（OCT）等重大前沿领域。 技术优势CAVPIC混合集成窄线宽外腔半导体激光器技术原理：激光器由InP增益芯片和SiN波导外腔芯片组成InP芯片和外腔芯片通过端面高效耦合利用外腔中双微环谐振器（MRR）的游标效应选出单纵模改变微环的自由光谱范围实现输出波长的宽范围调谐主要产品宽调谐窄线宽扫频激光器基于低损耗氮化硅外腔 大功率可调谐窄线宽激光器基于氮化硅外腔、磷化铟增益芯片与放大芯片混合集成，实现芯片级的大功率窄线宽激光器。同时，可以根据客户需求，进一步提高输出功率。适合光纤传感、光通信等领域使用。 应用领域可广泛应用于激光雷达（LiDAR）、数通光模块、相干光通信、光纤传感、光学相干断层成像（OCT）等重大前沿领域。
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Advanced-Microsemi 新微半导体同时，依托自有的晶圆级、芯片级测试能力，用一站式服务满足不同客户的需求，以缩短客制产品进入市场的时间，为客户创造更高的商业价值。 解决方案业务领域概述作为先进的集成电路化合物晶圆代工企业，新微半导体拥有一流的工艺制程和特色解决方案，为广大客户提供3/4/6吋基于氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）与磷化铟（InP）材料的一站式化合物半导体晶圆代工服务 应用场景电子消费、工业电源、新能源汽车、光伏光电解决方案在光电领域，新微半导体提供基于3/4吋磷化铟（InP）与4/6吋砷化镓（GaAs）材料的全系列光电工艺解决方案，为广大客户提供覆盖各波段的边发射激光器 光电探测器(PD)工艺平台新微半导体提供基于3/4吋磷化铟（InP）和4吋砷化镓（GaAs）材料体系的PD艺平台，包含可实现光敏面直径至3000μm大尺寸MPD和10G/25G高速光通信PD/APD两大工艺平台 边发射激光器（FP/DFB）工艺平台新微半导体提供基于3/4吋磷化铟（InP）材料体系的、中心波长覆盖600nm-2100nm的FP/DFB工艺平台，包括最大功率可达50W的FP工艺平台和2.5G/10G
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HXM 华芯微电子公司专注于射频化合物半导体晶圆代工业务，面向手机、WiFi路由器、基站、卫星通讯、雷达应用等高、中、低频射频应用终端市场，涵括物联网、车联网、移动穿戴装置、光通讯、光传感装置等应用场景，皆为未来主流的新兴产业 III-V族化合物砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）及衍生化合物以其直接带隙结构、禁带宽度和优秀的电子迁移率，毋庸置疑地成为HBT器件的最佳材料。 华芯优势珠海华芯微电子始终坚持自主研发，在拥有夯实的科研与生产基础上敢于技术创新，不断打磨产品品质与服务质量专业化研发&创新深耕集成电路与芯片领域多年，我们拥有一支成熟且专业的研发团队，在创新与优化之路上勇往直前
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