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Avalanche TechnologyAvalancheTechnology总部位于加利福尼亚州弗里蒙特，是利用300毫米标准CMOS工艺制造的垂直磁隧道结(pMTJ)单元结构的自旋转移力矩磁RAM(STT-MRAM)非易失性存储器的全球领导者 凭借300多项有关利用MRAM的单元、电路和系统设计的专利，我们的技术和产品提供了突破性的速度、无限的耐用性和非易失性，同时降低了功耗和成本。
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Everspin TechnologiesEverspin 是磁内存（MRAM）的领先开发商和制造商，提供独立和嵌入式MRAM产品。 Everspin的MRAM是业界最快的非易失性内存，并提供了无限次擦写，无与伦比的可靠性，10年以上的数据保留。主要产品SPI 串行接口系列串行 MRAMs ，40 MHz 时钟速度，没有写入延迟。 8位并行接口MRAM系列并行 MRAMs 高速、 非易失性，等同SRAM的读取和写入周期时间。8位MRAM系列， 符合RoHS，提供TSOP BGA封装，容量从256Kb到16Mb。 16位并行接口MRAM系列并行 MRAMs 高速、 非易失性，等同SRAM的读取和写入周期时间。16位MRAM系列，符合RoHS，提供TSOP BGA封装，容量从1Mb到16Mb。3.3V。
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Crocus TechnologyCrocus Technology 成立于2006年，致力于开发磁阻随机存取存储器（MRAM）技术及用于电流检测和位置检测领域的磁传感器。其主要投资者包括俄罗斯RUSNANO等公司 。 两家公司将在 Tower 的工厂投资专用设备，并且Tower 的200mm 晶圆厂完全生产 Crocus 的 MRAM 产品，作为交易的一部分，Tower 获得Crocus的125万美元股权。 新的合资公司 Crocus Nano Electronics（CNE）计划投资1.25亿美元在俄罗斯建立先进的MRAM制造工厂。在工厂开始生产后，预计将有总计3亿美元的额外资金用于扩大工厂的产能。 2011年10月6日，CrocusTechnology宣布已与IBM签署协议，共同开发MRAM中的半导体技术。
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驰拓科技公司拥有先进的新型存储芯片研发与产业化平台，掌握了MRAM设计、制造全套关键技术，成功开发独立式存储芯片和嵌入式IP等系列产品并可提供90/40/28nm多个先进工艺节点下的芯片设计、工艺研发、流片、测试分析等全方位服务 除了硬盘，TMR效应也孕育了另一种磁性存储器——磁随机存储器（Magnetic Random Access Memory，MRAM）。 Toggle-MRAM是第一代商用MRAM，以电流产生磁场，利用磁场改变自由层磁化状态，实现数据写入功能。它具有无限擦写次数、抗辐射、宽工作温度范围等特性，但难以进一步突破密度和功耗限制。 利用电流STT作用，可以制作全电流写入的MRAM，即STT-MRAM。STT-MRAM具有结构简单、存储密度高、功耗低、速度快等优势。 目前世界上多家知名半导体巨头如IBM、GlobalFoundries、Samsung、TSMC、UMC、SK Hynix、KIOXIA等和一些专注于MRAM的初创公司均在开展STT-MRAM相关产品技术研发
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NVENVE 已在磁性传感器、隔离器和磁阻随机存取存储器 (MRAM) 中运用了这些技术。这些元器件性能通常优于现有的器件，为检测和数据传输应用提供了高性价比和性能增强型解决方案。
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CETC 中电海康无锡公司主要以STT-MRAM及微纳技术为核心，聚焦MCU、智能传感器、感知系统相关技术和产品；以应用为牵引进行技术研发和项目推广，与各类伙伴开展合作，构建多维融合的智慧城市信息基础设施，推动在无锡形成以
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MicroSense2012 年，MicroSense 推出了世界上第一个 300-mm 非接触式磁性能测量工具（右图），用于 MRAM 晶圆开发和制造。
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先进材料和创新技术正成为后摩尔时代应对半导体行业面临的挑战2022-06-29
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