湖北元臻微电科技有限责任公司（简称“元臻微电”）是一家专注于xMR（各向异性磁阻AMR、巨磁阻GMR、隧道磁阻TMR）量子磁传感材料与核心器件研发及产业化的高科技企业。 研发成果：公司拥有1项已授权发明专利（“一种具有高磁阻变化率的各向异性磁阻薄膜的制备方法”），并注册了“EUTRONSENSE”和“元臻微电”等商标。 其技术核心与产品矩阵如下：核心技术：基于自旋电子学与MEMS技术，掌握了xMR磁阻传感器中关键的铁磁/非磁/铁磁（FM/NM/FM）纳米级三明治结构设计与制备工艺。

乐尔科技 — 磁性传感器专家无锡乐尔科技有限公司 成立于2009年9月，是宁波希磁科技旗下成员，公司以强大的隧道磁电阻（TMR）核心技术为支撑，专业研发和提供磁性传感器及其整体解决方案，是一家具有自主创新能力的高科技企业 机，点验钞机，清分机，自动充值机，票据检查机，支票机，自动售票机，保密纸检验机，POS 机无损探伤高铁轨道，桥染，石油管道，钢铁领域生物医药检测医疗检测，病毒检测，食品安全企业文化企业使命运用TMR（隧道磁阻

技术简介MRAM 技术简介20世纪80年代，法国Albert Fert与德国Peter Grünberg两位科学家在研究磁/非磁纳米多层膜的层间耦合时发现了巨磁阻（Giant Magneto Resistance 1995年变化率更大、更稳定的隧穿磁阻效应（Tunneling Magneto Resistance，TMR）被发现，2002年TMR磁头替代GMR磁头进入市场，使硬盘的记录密度更进一步提升。 2011年日本东北大学展示了垂直磁化的CoFeB/MgO/MgO磁性隧道结（MTJ），基于垂直磁化的MTJ的写入电流具有更好的可微缩性，在先进工艺节点、高密度存储需求中拥有巨大的应用潜力。 嵌入式磁随机存储器（Embedded Magnetic Random Access Memory，简称eMRAM）是基于STT效应的第三代磁性随机存储技术，与第一代Toggle MRAM和第二代采用面内磁化磁隧道结 （in-plane Magnetic Tunnel Junction,简称iMTJ）的MRAM相比，其采用了垂直磁化磁隧道结作为存储单元（perpendicular Magnetic Tunnel Junction