西安唐晶量子科技有限公司 位于西安市高新技术产业开发区，专注于采用金属有机化学气相沉积设备(MOCVD)进行以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)为衬底的III-V族化合物半导体外延片研发与生产，提供专业的外延生长定制服务 高功率VCSEL产品的输出功率通常在几百毫瓦至几瓦之间，相对于传统的激光二极管（LD）而言，其功率密度更高，输出波长更单一。 VCSEL产品与传统的激光二极管（LD）相比，具有较小的发散角度、更好的空间一致性、更低的热效应等优点。 砷化镓 EEL/PD产品应用描述砷化镓边发射激光器(EEL) 和光电二极管（PD）是一种基于砷化镓（砷化镓）半导体材料的光电子元件。 砷化镓 HBT产品应用描述砷化镓 HBT（Heterojunction Bipolar Transistor）是一种异质结双极晶体管，该结构具有高电子迁移率和较低的基本收缩效应，砷化镓 HBT主要应用于高速放大器

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