传感器热点（2020.07.02）：攻克核心装备！国产高能离子注入机实现百万电子伏特加速

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　　【TDK宣布推出新数字传感器，扩大其TMR角度传感器组合】

　　近日，TDK公司宣布其新型数字TAD4140传感器将扩展其隧道磁阻（TMR）角度传感器产品系列。与TDK现有的数字角度传感器TAD2141相比，新TAD4140专为高要求的汽车和工业应用而设计，在单个TSSOP16封装中，新TAD4140具有两个信号处理器单元和2×2个TMR桥的完全冗余。两个角度传感器都能够在-40℃到+150℃的环境温度范围内进行360°的无触点感应，使该设备适用于电机控制应用，例如电动助力转向（EPAS）系统中的无刷直流（BLDC）电机换向。

　　【Enetics和NYSEARCH宣布推出远程天然气分布监测传感器】

　　Enetics与NYSEARCH合作完成了Gascom的开发和beta测试，这是一种本质安全的传感器，为燃气企业提供了一种经济高效的方法，可以对其钢管配气网络进行自动操作监控。

　　GasComm被设计成战略性地安装在整个配电系统中不需要控制功能的远程点。从这些点获得的数据可用于报警、资产状况评估、趋势分析、建模、改进人力部署和报告。GasComm系统包括GasComm传感器、一个坚固耐用的电池供电远程遥测装置（RTU），带有蜂窝调制解调器，以及用户界面软件。

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　　【美国豪掷250亿美元振兴芯片产业】

　　近日有一群美国参议员提出了又一项旨在振兴美国本土芯片产业的法案──《美国晶圆代工业法案》(American Foundries Act of 2020，AFA)。该法案由两个政党共同支持的提案，是继6月10日提出的《为半导体生产建立有效激励措施》(Creating Helpful Incentives to Produce Semiconductors,CHIPS)法案之后的第二个类似举措。

　　上述两项法律提案强调了美国政府推动电子产业供应链本土化，以及重建在地半导体产业所付出的努力──目前全世界大部分的生产都已经移到亚洲地区。AFA拟为美国各州提供补助款以协助扩展商业芯片生产设施，CHIPS法案则主要是由美国国防部与其他机关执行的赞助项目。AFA的资金约为250亿美元（约合1766.1亿人民币），而CHIPS的资金约为120亿美元。

　　这些法律提案也与美国总统川普(Donald Trump)政府试图吸引晶圆代工龙头台积电(TSMC)前往美国投资的举措方向一致；台积电先前宣布与美国亚利桑那州政府达成协议，准备在当地投资120亿美元兴建5奈米先进制程晶圆厂，并表示此投资案将从其生态系其他公司取得更多额外的资金。

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　　【国产高能离子注入机实现百万电子伏特加速】

　　中国电子科技集团旗下电科装备自主研制的高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速，性能达国际主流先进水平。

　　离子注入机是晶圆制造七大生产设备之一，是芯片制造中至关重要的核心关键装备。一直以来，我国离子注入机严重依赖外国，国产率极低，特别是百万伏高能离子注入机，研制难度极大。目前世界范围内以集成电路领域离子注入机为主要业务的公司共有6家，除国内电科装备外，其它为美国AMAT/Varian和Axcelis,日本SMIT和Nissin,中国台湾地区AIBT.

　　因此，这意味着在芯片自主研制的道路上，中国又攻克了一样受制多年的核心装备。目前，高能离子注入机还在研发阶段，预计2020年底推出国内首台，2021年一季度进入客户端。

　　【2020年Q1三星占据智能手机存储芯片市场的一半】

　　Strategy Analytics估计，今年第一季度全球智能手机芯片市场规模为94亿美元，其中包括DRAM内存模块和NAND闪存产品的出货量。

　　值得注意的是，三星在一月至三月的份额甚至约占总收入的50％。前三名智能手机存储芯片供应商还包括SK海力士和美光。这三家公司加在一起控制了84％的行业，具体为：三星占总收入的54.7％。SK Hynix和美光的结果分别为25.5％和18.5％。

　　【LG计划2021年推出首款可弯曲屏幕的智能手机】

　　LG电子计划明年推出首款配备可弯曲屏幕的智能手机，这是LG计划代号B项目的一部分。据称这为一种不寻常的设备组织了原型生产：为了进行全面测试，将生产1,000至2,000份小工具。

　　目前几乎没有关于智能手机功能的信息。但清楚的是，波纹屏是使用有机LED技术（OLED）制成的，中国京东方公司的专家参加了该小组的开发。

　　【SK海力士开始量产最快的HBM2E存储芯片】

　　SK海力士开始量产最快的HBM2E存储芯片，从HBM2E存储器的开发完成阶段到开始批量生产，SK Hynix用了不到一年的时间。

　　但主要的不是这种令人难以置信的效率，而是新型HBM2E芯片独特的高速特性。HBM2E SK Hynix芯片的带宽高达每块460 GB / s,比以前提高了50 GB / s.交换速率将增加到820 GB / s.芯片微电路均由八个晶体（层）组装而成。由于每一层都有一个16 Gbit的晶体，因此新微电路的总容量为16 GB.