新思科技宣布三星晶圆厂成功实现了多次测试流片

创芯人 20221107

  • 机器学习
  • 半导体与集成电路
  • 3纳米工艺

近日，新思科技（Synopsys）宣布，在双方的长期合作中，三星晶圆厂已经通过公司数字和定制设计工具和流程成功实现了多次测试流片，从而更好地推动三星的3纳米全环绕栅极（GAA）技术被采用于对功耗、性能和面积（PPA）要求极高的应用中。
　　
　　新思科技表示，与三星SF5E工艺相比，采用三星晶圆厂SF3技术的共同客户将实现功耗降低约50%，性能提高约30%，面积缩小30%左右。此外，新思科技还获得了三星的"最先进工艺"认证。
　　
　　据了解，三星精简了3纳米工艺开发的成本和时间，并根据PPA设计指标有效地评估了其工艺选项。三星持续将新思科技DSO.ai™技术纳入其流程中，利用机器学习能力来大规模地探索芯片设计工作流程中的选择，并加快其流程的开发。

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