铠侠西数推出218层3D NAND
近日,存储器大厂铠侠和西部数据共同宣布推出最新的218层3D NAND闪存。
据介绍,此次西部数据联合铠侠推出的218层3D NAND闪存产品利用具有四个平面的1Tb三级单元(TLC)和四级单元(QLC),采用横向收缩技术,可将位密度提高约50%。同时,其NAND I/O速度超过3.2Gb/s,比上一代产品提高了约60%,此外,其写入性能和读取延迟则改善了20%。
铠侠和西数表示,该产品采用先进的缩放和晶圆键合技术,可以满足广泛市场领域呈指数级增长的数据需求,包括智能手机、物联网设备和数据中心等,目前已开始为部分客户提供样品
(JSSIA整理)
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