SK海力士完成1b DRAM制程技术研发

江苏半导体协会 20230601

  • DDR5 DRAM

5月30日，SK海力士宣布，已完成了1b制程技术（第五代10nm等级）研发，并将其技术生产的DDR5伺服器DRAM进行英特尔数据中心记忆体认证程式（The Intel Data Center Certified memory program），这是英特尔代号Sapphire Rapids的第四代Xeon可扩展数据中心处理器所采用的记忆体产品的相容性正式认证流程。

 

SK 海力士表示，这次提供的DDR5 DRAM产品运行速度为6.4Gbps，与初期的测试品项相比，数据处理速度提高了33%。该产品采用了HKMG（High-K Metal Gate）制程技术，相较第四代10nm等级的1α制程技术的产品，功耗降低了20%。

 

SK 海力士希望2023年开始量产最先进的1b制程技术产品，以改善2023年下半年的业绩。此外，SK海力士还打算将1b制程技术延伸到LPDDR5T、HBM3E等产品上。

 

（JSSIA整理）

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