用于高速开关应用的1200V EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET

中自网 20230612

  • SiC MOSFET
  • 功率器件

 

 

增强型1代1200V CoolSiC™ MOSFET的EasyDUAL™ 1B半桥模块，采用PressFIT压接式安装技术和温度检测NTC，并有使用预涂的热界面材料（TIM）版本。

 

产品型号：

 

FF17MR12W1M1H_B11

17mΩ 1200V

FF17MR12W1M1H_B70

17mΩ 1200V 低热阻

FF17MR12W1M1HP_B11

17mΩ 1200V TIM版本

FF33MR12W1M1H_B11

33mΩ 1200V

FF33MR12W1M1HP_B11

33mΩ 1200V TIM版本

 

产品特点

1200V CoolSiC™ MOSFET

Easy1B封装

Best-in-class 12毫米高度模块封装

非常低的模块寄生电感

RBSOA反向工作安全区宽

栅极驱动电压窗口大

PressFIT引脚

两个阻值型号都有带有热界面材料版本

 

应用价值

扩展了栅源电压最大值：+23V和-10V

在过载条件下，Tvjop最高可达175°C

最佳的性价比，可降低系统成本

可工作在高开关频率，并改善对冷却要求

 

竞争优势

引入新的M1H增强型1代芯片系列模块，Best-in-class 1200V Easy1B模块

采用英飞凌WBG材料，达到功率和效率的新水平

紧跟市场的新趋势，支持多种目标应用

 

应用领域

电机控制和驱动

不间断电源(UPS)

电动汽车充电

光伏系统的解决方案

储能系统

 

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