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YES POWERTECHNIXYES POWERTECHNIX成立于2017年，是一家专注于SiC功率半导体（SiC二极管，SiC MOSFET）的公司。 YES POWERTECHNIX是韩国第一家将SiC功率半导体商业化的公司，它在其母公司YEST的全力支持下增加了优秀工程师和国营研究机构的技术支持。 股份公司YES POWERTECHNIX是专门生产2017年成立的SiC 功率半导体(SiC Diode, SiC MOSFET)的企业。 因此,全世界电气特性突出的SiC功率半导体的适用范围正在扩大,但国内没有批量生产技术和设施,这是产业界的长期苦恼。 现在yes power technix的SiC功率半导体常用产品和研究成果使先进元件的国产化成为可能同时将成为巩固技术强国的自豪感和半导体发达国家自豪感的基石。
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Xinergy 芯达茂微电子2019年公司首款隔离式栅极驱动IC面世；2020年IGBT单管、模块顺利量产；2021年GaN MOSFET、SiC MOSFET器件正式上市；2022年荣获国家级高新技术企业认定；2023年车规级IGBT 大功率模块、车规级SiC芯片面世。 主要产品IGBT单管，SiC MOSFET，VD MOSFET，SJ MOSFET，SGT MOSFET，PIM，IPM应用方案直流变频落地扇及空清机马达解决方案直流变频空调马达解决方案
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Silikron 硅能半导体新硅能微电子(苏州)有限公司 由各知名高校、研究所教授及优秀的功率器件、模块设计团队组成，均具有十数年以上器件及模块设计和应用经验；聚焦Si/SiC基MOSFET、IGBT、FRD、PIM和IPM等产品 ，广泛应用于电源、储能、家电、工业以及新能源汽车等领域；拥有江苏省功率MOSFET芯片设计工程技术研究中心；拥有多项发明和实用新型专利，拥有领先的产品设计及制程开发的核心自主研发能力，致力于为人类美好未来做贡献 科研支持硅能半导体功率MOSFET芯片设计工程技术研究中心是江苏省省属实验室，我们打造了一个为MOSFET、IGBT、SiC和模块等主要产品的研究和开发提供强大支持的创新平台，致力于为MOSFET、IGBT 、SiC和MODULE等主要产品的研发提供一个卓越的实验环境。 为MOSFET、IGBT、SiC和模块等产品的深入研究和开发提供了一个受控、创新的环境。
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Yangjie 扬杰电子产品线含盖分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模块、SiC、整流器件、保护器件、小信号等，为客户提供一揽子产品解决方案。 ，汽车SiC肖特基二极管，汽车SiC MOSFET，IGBT汽车电子整流器件整流桥，普通整流二极管，快恢复二极管，超高效整流二极管，超快恢复二极管，肖特基二极管，光伏二极管，汽车电子整流器件：整流二极管 ，汽车电子MOSFET高压MOSFET(500V-1000V)：SJ MOSFET，SiC MOSFET，Planar MOSFET中低压MOSFET(12V-400V)：N-Channel MOSFET ，P-Channel MOSFETNP MOSFET(12V-300V)：Complementary MOSFET，Dual N-Channel MOSFET，Dual P-Channel MOSFET ，Half-bridge MOSFETSiCSiC肖特基二极管，单管SiC MOSFET，单管SiC二极管模块，SiC MOSFET模块，汽车SiC肖特基二极管，汽车SiC MOSFETIGBTIGBT
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Skysemi 思开半导体产品系列：Trench Mos、SGT Mos、IGBT、Sic、Gan、Super Junction。 主要产品MOSFET，IGBT，SiC/GaN，Analog IC，Super Juction应用领域Industry，BMS，New Energy，BLDC，Power，Automobile
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深圳倾佳深圳市倾佳电子有限公司-专业功率半导体(IGBT单管，IGBT模块，碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN)以及新能源汽车连接器分销商，致力于服务中国工业电源及新能源汽车制造商。 近年来，倾佳电子-着力推广国产碳化硅SiC功率器件，国产SiC-MOSFET，国产SiC-MOSFET功率模块，国产氮化镓GaN HEMT以及配套的隔离驱动IC，自举驱动IC,不断在高压汽车电驱系统、高压快充桩 除了车载应用，SiC碳化硅的替代IGBT方案开始在工业的UPS系统（不间断电源）、轨道交通等领域推出。
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NOYUSEM 蓉矽半导体发展历程2024年第二代车规级SiC MOSFET正式发布；蓉矽半导体第二代NovuSic® 1200V 20mΩ SiC MOSFET正式发布通过AEC-Q101车规级可靠性认证；蓉矽半导体碳化硅 MOSFET通过AEC-Q101车规级考核和HV-H3TRB加严可靠性验证2023年《2023 碳化硅(Sic)产业调研白皮书》正式发布；蓉矽半导体参编《2023 碳化硅(SiC)产业调研白皮书》，助力产业加速发展创新四川省专精特新中小企业认定 MOSFET栅极氧化层可靠性1200V 12m9 NovuSicgMOSFET蓉矽半导体1200V12mΩ NovuSic® MOSFET量产通过ISO三大体系认证；蓉矽半导体顺利通过德国莱茵 (G1)量产；1200V/20A EJBS™二极管正式量产2021年订单金额达300万；硅基MCR@订单金额达300万SiC MOSFET(G1)量产；SiC MOSFET(G1)1200V /75mΩ 正式量产SiC MOSFET(G1)开发成功1200V/75mΩ SiC MOSFET 第一次工程流片即达91.2%良率天使轮融资完成；进行MCR产品优化及SiC产品量产硅基MCR科技成果转化
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RZC 瑞之辰科技深圳市瑞之辰科技有限公司 是一家芯片设计、方案研发的高科技公司，成立于2007年，主要产品有SiC功率器件、传感器芯片、电源管理芯片等。公司拥有自己的知识产权，拥有数十项发明专利和实用新型专利。 近年来公司研发了SiC、IGBT等功率器件，封装形式有TO247-3、TO247-4PHC、IPM24A-D、WPM11C等外形，产品主要应用在储能、白电、充电桩、逆变器、光伏、汽车、高铁、电网等领域。 主要产品MEMS压力传感器全金属封装充油芯体AC-DC 副边反馈AC-DC原边反馈低压MOSFET锂电保护-充电同步整流USB端口协议中压MOSFET
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YASC 长飞先进公司拥有国内一流的6英寸产线设备和先进的配套系统，可提供从工业级到车规级的SiC SBD、MOSFET全系列产品，广泛覆盖新能源汽车、光伏、储能、充电桩、电力电网等领域。 长飞先进拥有完备的碳化硅系列产品，包括分立式SiC肖特基二极管（SBD）、分立式SiC MOSFET、SiC 功率模块、SiC MOSFET裸芯片、SiC 肖特基二极管裸芯片，能涵盖电动汽车，工业电源、 产品：SiC外延片，分立式SiC肖特基二极管，分立式SiC MOSFET，SiC MOSFET裸芯片，SiC肖特基二极管裸芯片，SiC功率模块代工服务晶圆代工：长飞先进拥有先进的SiC晶圆工艺生产和检测设备 其中，芜湖基地年产6万片6英寸SiC MOSFET外延及晶圆、640万个功率模块、1800万个功率单管；武汉基地可年产36万片6英寸SiC MOSFET外延及晶圆、6100万个功率模块。 因此，SiC器件在光伏储能系统、轨道交通、智能电网等工业领域具有非常广阔的市场空间与发展前景。
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Bestirpower 萃锦半导体公司致力于在新能源汽车、算力、储能、风电、工业驱动等领域，提供高可靠、高性能的分立器件、模块和板级方案，产品包括600v ~ 2000v电压平台的第三代半导体碳化硅 SiC MOSFET 和模块,、硅基超结 Wafer基于国际先进的超结和碳化硅芯片技术，萃锦半导体已研发超结MOSFET、SiC肖特基二极管和SiC MOSFET芯裸芯片和晶圆。 先进的SiC MOSFET技术结合供应链垂直整合战略，确保我们的产品性能、成本结构和供货能力具有市场竟争力。 感应加热萃锦开发的 SiC MOSFET 优化了元胞结构，具有导通损耗低，开关损耗小，开关频率高，契合感应加热的高频应用环境。我司 SiC Diode 反向恢复性能优，正向导通压降值低，损耗小。 氢燃料空压机萃锦开发的SiC MOSFET 优化了元胞结构，具有导通损耗低，开关损耗小，开关频率高，契合氢能用空压机高频应用与高功率密度特点。
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东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET06-18 11:20
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