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YES POWERTECHNIXYES POWERTECHNIX成立于2017年，是一家专注于SiC功率半导体（SiC二极管，SiC MOSFET）的公司。 YES POWERTECHNIX是韩国第一家将SiC功率半导体商业化的公司，它在其母公司YEST的全力支持下增加了优秀工程师和国营研究机构的技术支持。 股份公司YES POWERTECHNIX是专门生产2017年成立的SiC 功率半导体(SiC Diode, SiC MOSFET)的企业。 因此,全世界电气特性突出的SiC功率半导体的适用范围正在扩大,但国内没有批量生产技术和设施,这是产业界的长期苦恼。 现在yes power technix的SiC功率半导体常用产品和研究成果使先进元件的国产化成为可能同时将成为巩固技术强国的自豪感和半导体发达国家自豪感的基石。
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Xinergy 芯达茂微电子2019年公司首款隔离式栅极驱动IC面世；2020年IGBT单管、模块顺利量产；2021年GaN MOSFET、SiC MOSFET器件正式上市；2022年荣获国家级高新技术企业认定；2023年车规级IGBT 大功率模块、车规级SiC芯片面世。 主要产品IGBT单管，SiC MOSFET，VD MOSFET，SJ MOSFET，SGT MOSFET，PIM，IPM应用方案直流变频落地扇及空清机马达解决方案直流变频空调马达解决方案
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Silikron 硅能半导体新硅能微电子(苏州)有限公司 由各知名高校、研究所教授及优秀的功率器件、模块设计团队组成，均具有十数年以上器件及模块设计和应用经验；聚焦Si/SiC基MOSFET、IGBT、FRD、PIM和IPM等产品 ，广泛应用于电源、储能、家电、工业以及新能源汽车等领域；拥有江苏省功率MOSFET芯片设计工程技术研究中心；拥有多项发明和实用新型专利，拥有领先的产品设计及制程开发的核心自主研发能力，致力于为人类美好未来做贡献 科研支持硅能半导体功率MOSFET芯片设计工程技术研究中心是江苏省省属实验室，我们打造了一个为MOSFET、IGBT、SiC和模块等主要产品的研究和开发提供强大支持的创新平台，致力于为MOSFET、IGBT 、SiC和MODULE等主要产品的研发提供一个卓越的实验环境。 为MOSFET、IGBT、SiC和模块等产品的深入研究和开发提供了一个受控、创新的环境。
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Skysemi 思开半导体产品系列：Trench Mos、SGT Mos、IGBT、Sic、Gan、Super Junction。 主要产品MOSFET，IGBT，SiC/GaN，Analog IC，Super Juction应用领域Industry，BMS，New Energy，BLDC，Power，Automobile
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深圳倾佳深圳市倾佳电子有限公司-专业功率半导体(IGBT单管，IGBT模块，碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN)以及新能源汽车连接器分销商，致力于服务中国工业电源及新能源汽车制造商。 近年来，倾佳电子-着力推广国产碳化硅SiC功率器件，国产SiC-MOSFET，国产SiC-MOSFET功率模块，国产氮化镓GaN HEMT以及配套的隔离驱动IC，自举驱动IC,不断在高压汽车电驱系统、高压快充桩 除了车载应用，SiC碳化硅的替代IGBT方案开始在工业的UPS系统（不间断电源）、轨道交通等领域推出。
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NOYUSEM 蓉矽半导体发展历程2024年第二代车规级SiC MOSFET正式发布；蓉矽半导体第二代NovuSic® 1200V 20mΩ SiC MOSFET正式发布通过AEC-Q101车规级可靠性认证；蓉矽半导体碳化硅 MOSFET通过AEC-Q101车规级考核和HV-H3TRB加严可靠性验证2023年《2023 碳化硅(Sic)产业调研白皮书》正式发布；蓉矽半导体参编《2023 碳化硅(SiC)产业调研白皮书》，助力产业加速发展创新四川省专精特新中小企业认定 MOSFET栅极氧化层可靠性1200V 12m9 NovuSicgMOSFET蓉矽半导体1200V12mΩ NovuSic® MOSFET量产通过ISO三大体系认证；蓉矽半导体顺利通过德国莱茵 (G1)量产；1200V/20A EJBS™二极管正式量产2021年订单金额达300万；硅基MCR@订单金额达300万SiC MOSFET(G1)量产；SiC MOSFET(G1)1200V /75mΩ 正式量产SiC MOSFET(G1)开发成功1200V/75mΩ SiC MOSFET 第一次工程流片即达91.2%良率天使轮融资完成；进行MCR产品优化及SiC产品量产硅基MCR科技成果转化
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RZC 瑞之辰科技深圳市瑞之辰科技有限公司 是一家芯片设计、方案研发的高科技公司，成立于2007年，主要产品有SiC功率器件、传感器芯片、电源管理芯片等。公司拥有自己的知识产权，拥有数十项发明专利和实用新型专利。 近年来公司研发了SiC、IGBT等功率器件，封装形式有TO247-3、TO247-4PHC、IPM24A-D、WPM11C等外形，产品主要应用在储能、白电、充电桩、逆变器、光伏、汽车、高铁、电网等领域。 主要产品MEMS压力传感器全金属封装充油芯体AC-DC 副边反馈AC-DC原边反馈低压MOSFET锂电保护-充电同步整流USB端口协议中压MOSFET
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Bestirpower 萃锦半导体公司致力于在新能源汽车、算力、储能、风电、工业驱动等领域，提供高可靠、高性能的分立器件、模块和板级方案，产品包括600v ~ 2000v电压平台的第三代半导体碳化硅 SiC MOSFET 和模块,、硅基超结 Wafer基于国际先进的超结和碳化硅芯片技术，萃锦半导体已研发超结MOSFET、SiC肖特基二极管和SiC MOSFET芯裸芯片和晶圆。 先进的SiC MOSFET技术结合供应链垂直整合战略，确保我们的产品性能、成本结构和供货能力具有市场竟争力。 感应加热萃锦开发的 SiC MOSFET 优化了元胞结构，具有导通损耗低，开关损耗小，开关频率高，契合感应加热的高频应用环境。我司 SiC Diode 反向恢复性能优，正向导通压降值低，损耗小。 氢燃料空压机萃锦开发的SiC MOSFET 优化了元胞结构，具有导通损耗低，开关损耗小，开关频率高，契合氢能用空压机高频应用与高功率密度特点。
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SICHAIN 清纯半导体公司成立一年来，技术与产品发展迅速，目前已突破国产SiC功率器件设计及大规模制造瓶颈，在极短时间内先后开发出自主知识产权的SiC二极管及 Mosfet器件产品，产品先后通过车规级可靠性测试，是目前国内唯一能够在 SiC器件核心性能和可靠性方面达到国际一流水平、并且基于国内产线量产SiC Mosfet的企业。
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LXPSEMI 澜芯半导体上海澜芯半导体有限公司 成立于2022年6月，公司总部坐落于上海嘉定，在张江设有研发中心，是一家全栈功率芯片设计公司，产品包含碳化硅MOSFET，硅基IGBT, MOSFET等相关芯片、单管和功率模块产品 依托多年在功率半导体丰富的开发经验和深厚的车规级功率半导体行业应用背景，历经半年多的时间在2023年8月首款碳化硅芯片1200V 80mΩ SiC MOSFET就功通过了1000小时175℃ 100%Vds 产品覆盖1200V SiC MOSFET 6mΩ、12mΩ、14mΩ、30mΩ、40mΩ、60mΩ、80mΩ等，已有众多客户与澜芯建立了深度的技术交流，对于澜芯半导体的技术实力给予了充分的肯定，现客户群体已覆盖光伏储能 主要产品SiCLXPSEMI SiC MOSFET在导通电阻，开关损耗，高温运行和导热性上的优异特性极大地提升了电力电子系统的转换效率和功率密度，并使得系统的整体成本降低。 SJ MOSFET为适应电源系统高效率小型化的需求，澜芯半导体推出了超结高压MOSFET, SJ MOSFET具有更快的开关速度，可以大大提高系统效率、降低发热量，还可以简化系统EMI设计。
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1700V IGBT/SiC MOSFET专用驱动电源R3系列2022-05-01
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安森美推出新的高功率图腾柱PFC控制器，满足具挑战的能效标准2022-03-23
