总投资约300亿元，重庆三安意法半导体项目预计8月投产

科技关注 20240416

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  • 碳化硅衬底

据西永微电园官方微信报道，相关负责人表示，三安意大利半导体项目已实现主体结构封顶，正在进行室内装修和设备采购。预计今年8月照明生产，比原计划提前2个月。

据悉，三安意大利半导体项目总投资约300亿元，全面整合了8英寸汽车级碳化硅衬底、外延、芯片的研发制造，致力于建设技术先进的8英寸碳化硅衬底和晶圆厂。

此前的消息显示，该项目包括一家汽车级功率芯片制造商，以及为其提供碳化硅衬底的材料供应商。其中，由国内化合物半导体龙头企业三安光电和国际半导体巨头意大利半导体合资企业设立的汽车规级功率芯片制造商，规划总投资约32亿美元。达到生产后，每年可生产48万块8英寸碳化硅汽车规级MOSFET功率芯片，主要用于新能源汽车主驱逆变器、充电桩和车载充电器。

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