消息称三星电子探索逻辑芯片混合键合

早安科技 20240425

  • 3D封装

4 月 24 据韩媒报道，日新闻 ETNews 据报道，三星电子正在探索最早将混合键合技术应用于逻辑芯片， 2026 年推出采用 3D 封装的 2nm 移动端处理器。

注：混合键合技术是一种直接铜对铜键合技术，无凸块（焊球）。与传统的凸块键合技术相比，混合键合可以降低上下芯片之间的间距，提高芯片之间的电信号传输性能，提高 IO 通道数量。

已经有混合键合了 3D NAND 闪存将在未来使用 HBM4 内存。新项目将是三星首次尝试将这种键合技术应用于逻辑芯片。

据报道，三星目前将是 2026 年下半年设定为 3D 移动处理器的大规模生产时间，目标将是每个时间 IO 端子之间的间距降低到 2 微米，进一步提升 IO 数量。

为了实现这一目标，三星电子OEM与先进包装部门已经合作。

目前还不清楚混合键 3D 移动处理器将在三星本身的产品或OEM项目上推出。这项技术预计将在未来扩展到 HPC 其他逻辑半导体领域，如芯片。


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