新布线技术助推2nm及以下制程节点
据当地时间7月8日报道，应用材料公司宣布推出新的布线技术，旨在通过将铜布线缩小到2nm以下的逻辑节点，提高计算机系统的每瓦性能。
应用材料公司半导体产品集团总裁帕布‧若杰（Prabu Raja）医生说：“医生说：“AI 时代需要更多的节能操作，其中芯片布线和堆叠对效率和能耗至关重要。最新的集成材料解决方案使行业能够将低电阻铜布线微缩到新兴的埃米节点。同时，我们最先进的低介电常数材料降低了电容效应，增强了芯片结构的强度 将堆叠提升到一个新的高度。”
近年来，应用材料公司 Black Diamond™ 材料一直处于行业领先地位，其铜线周围采用低介电常数(或”k 值”)膜，旨在减少电荷的积累，从而增加功耗，导致电信号之间的干扰。现在，应用材料公司推出了该材料的增强版，这是该公司 Producer™ Black Diamond™ PECVD 最新的产品系列。为了实现2nm及以下的微缩，同时提供更高的机械强度，这种新材料降低了最小k值。随着芯片制造商和系统公司将3D逻辑和内存堆叠提升到一个新的高度，这将变得至关重要。
另外，应用材料公司还推出了最新的IMS™（集成材料解决方案）将六种不同的技术结合到一个高真空系统中，包括行业中第一个材料组合，使芯片制造商将铜布线缩小到2nm及以下节点。这个解决方案是一个又一个 （RuCo） 二元金属组合可同时将衬垫厚度降低33%至2nm，为无缝铜回流焊产生更好的表面性能，并将线路电阻降低25%以上，从而提高芯片的性能和功耗。
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