全球存储市场迎来涨价潮，NAND Flash涨幅最高达38.46%
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全球存储市场迎来涨价潮，NAND Flash涨幅最高达38.46%
2024年11月19日，闪存晶圆（Flash Wafer）价格全面上涨，部分型号涨幅突破38.46%。继DRAM市场出现显著涨价后，此次NAND Flash的集体提价标志着存储产业正经历新一轮供需格局调整。
多型号NAND Flash价格跃升，涨势延续至四季度
具体来看，1Tb QLC价格上调25.00%至12.50美元/片，1Tb TLC上涨23.81%至13.00美元/片，512Gb TLC涨幅最大，达到38.46%，报价9.00美元/片，256Gb TLC则上浮14.58%，至5.50美元/片。此次涨势已从DRAM市场蔓延至NAND Flash领域，并在四季度加速。
现货市场已对价格波动作出强烈反应。在深圳华强北，存储贸易商普遍感受到市场情绪的剧烈波动。自8月以来，各类存储颗粒的价格持续上涨，日均波动显著，整体趋势呈上升态势。
电商平台反映价格飙升，DDR5涨幅尤为明显
主流电商平台数据显示，目前DDR4 16GB内存条价格集中在350元至520元之间，而DDR5 16GB内存条价格已逼近600元。从价格曲线可见，内存产品成本正在快速攀升。
原厂暂停报价进一步支撑了现货市场的涨价预期。据悉，三星电子率先暂停10月DDR5 DRAM合约报价，SK海力士与美光随后跟进。三星向客户明确表示“无货可售”，仅此一周内，DDR5现货价格便上涨25%。
结构性缺货持续，AI驱动需求激增
NAND Flash市场同样面临紧张局面，业内普遍认为，缺货状态可能持续至2025年。慧荣科技总经理苟嘉章指出，随着AI应用的加速渗透，全球存储市场正经历结构性、长周期的供需失衡。
威刚董事长陈立白表示，当前DRAM、NAND闪存、SSD及机械硬盘四大存储品类同步缺货涨价，这在他三十余年的行业经验中尚属首次。他认为，第四季度将是存储市场供需矛盾加剧的起点。
产业链承压，消费电子与数据中心受影响
存储芯片的涨价趋势正从上游向下游传导，冲击消费电子制造。手机厂商面临显著压力，小米、OPPO、vivo等主流品牌库存普遍低于两个月，部分厂商DRAM库存甚至不足三周。
小米集团合伙人卢伟冰公开表示，存储芯片成本的快速上涨已超出预期，且未来可能进一步恶化，尤其是低端手机市场将承受更大成本压力，可能出现“生产越多亏损越多”的现象。
市场研究机构已下调2026年全球智能手机出货预期，从此前预测的同比增长0.1%调整为下降2%。笔记本电脑市场也面临价格上调压力，预计2026年终端售价将普遍上浮5%至15%。
数据中心领域同样承受压力。某国内云服务提供商采购负责人透露，存储采购成本持续攀升，但短期内难以通过价格机制转嫁至终端用户，利润空间受到挤压。
AI驱动结构性变革，存储市场进入超级周期
当前的存储市场波动已不同于以往的周期性调整，而是由AI算力革命带动的结构性变化。预计2026年，全球存储市场将持续处于供不应求状态。
未来几年，存储行业将呈现出“先进制程依赖技术创新，成熟制程注重差异化服务”的格局。作为半导体产业的重要分支，存储芯片的供需变化将对全球科技产业格局产生深远影响。
产业升级背景下，产业链需加快转型
面对存储行业的历史性变革，企业需加大研发投入，强化自主创新能力，打造具有核心竞争力的产品。同时，应加强产业链上下游协作，实现资源共享与优势互补，推动行业高质量发展。
此次存储芯片的涨价潮已超越传统周期波动，成为AI驱动的产业升级与全球供应链重构的重要标志，其发展趋势将深刻塑造未来的数字经济格局。
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