存储市场进入结构性上涨周期，NAND Flash价格飙升引关注

自11月19日起，Flash Wafer（闪存晶圆）价格全面上涨，部分产品涨幅高达38.46%。此次涨价不仅延续了DRAM市场的强劲趋势，也标志着存储行业进入新一轮结构性上涨阶段。

具体来看，1Tb QLC报价上涨25.00%，达12.50美元；1Tb TLC报价增长23.81%，至13.00美元；512Gb TLC涨幅最大，达到38.46%，报价升至9.00美元；256Gb TLC则上涨14.58%，报价为5.50美元。进入四季度后，NAND Flash的上涨势头愈发明显。

受此影响，中国深圳华强北的存储商家已感受到市场剧烈波动带来的压力。自8月以来，内存颗粒价格持续攀升，每日报价波动频繁，整体呈上升趋势。

主流电商平台数据显示，DDR4 16G内存条价格区间为350元至520元，而DDR5 16G内存条价格已接近600元。从价格曲线走势来看，存储产品价格呈明显陡升态势。

存储原厂暂停报价进一步巩固了现货市场的上涨趋势。据市场消息，三星电子率先于10月暂停DDR5 DRAM合约报价，并向客户传达“无货可卖”的信息，这一举措迅速引发SK海力士和美光等厂商跟进。短短一周内，DDR5现货价格迅速上涨25%。

在NAND Flash领域，业内普遍预测缺货状态将延续至2025年。慧荣科技总经理苟嘉章指出，随着AI应用的快速扩张，全球存储产业正面临一场结构性、长周期的供需失衡。

威刚董事长陈立白表示，当前DRAM、NAND Flash、SSD及机械硬盘四大存储产品类别均出现严重缺货和价格攀升的情况。在他三十余年的从业经历中，从未见过如此全面的供需紧张局面，预计第四季度将进入缺货高峰期。

存储芯片价格上涨正逐步影响消费电子产业链。智能手机厂商面临较大压力，小米、OPPO、vivo等品牌库存普遍低于两个月，部分厂商DRAM库存甚至不足三周。

小米集团合伙人卢伟冰公开表示：“目前存储芯片成本的上涨远超预期，且趋势仍在加剧。”在低端手机市场，过高的成本可能导致企业面临“做多亏多”的风险。

调研机构已将2026年全球智能手机出货量预期由年增0.1%下调至年减2%。与此同时，笔电市场也受到影响，预计2026年终端售价将普遍上调5%-15%。

数据中心运营商同样承受成本上涨压力。一家国内云服务商采购负责人透露：“我们不得不接受更高的存储采购成本，但短期内难以将这些成本转嫁给用户，利润率将受到明显影响。”

本轮存储市场行情不同于以往的短期波动，而是由AI算力需求激增引发的结构性供需失衡。预计2026年，全球存储市场将持续处于供不应求状态。

未来几年，存储行业将呈现分化趋势，先进制程依赖技术突破，而成熟制程则更注重特色服务与差异化竞争。作为半导体产业的重要分支，存储芯片的供需格局重塑将深远影响全球科技产业走向。

面对存储行业的历史性变革，产业链企业亟需加大研发投入，增强自主创新能力，推出具备市场竞争力的产品。同时，应深化与上下游企业的合作，实现资源共享和优势互补，共同推动产业升级。

当前的存储芯片价格上涨已超越传统周期性波动范畴，成为AI驱动下的产业升级与全球供应链重构的重要组成部分，其发展动向将深刻影响未来数字经济的发展格局。

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