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Zentel 力积存储国际领先的DRAM设计，制造和销售公司浙江力积存储科技有限公司 不仅仅是世界上技术规格和应用覆盖面最广的内存产品线，也是国内唯一畅销国际市场近二十年的内存品牌。 Zentel成立Zentel Japan2004-06 完成第一个与力晶共同开发的110纳米512MbDDR12005-03 第一家公司于力晶完成110纳米代工产品2006-03 第一家公司于力晶完成产品类别DRAM
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Alliance Memory 联盟记忆Alliance Memory 是一家全球无晶圆厂制造商，生产传统和新技术存储器产品，这些产品是 Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix 和其他公司的 SRAM、DRAM 我们的产品组合包括用于主流数字信号处理器 (DSP) 和微控制器的全系列 3.3V 和 5V 异步 SRAM；和同步 SRAM、低功耗 SRAM、伪 SRAM、3.3V 同步 DRAM (SDR)、移动 DDR、2.5V 单 (DDR1)、1.8V 双 (DDR2) 和 1.5V 和 1.35V 三倍速率 (DDR3) 1.2V四倍速率 (DDR4) 同步 DRAM，以及 5V 并行 NOR 闪存设备 我们的大部分 SRAM、DRAM 和 FLASH 产品直接从库存中发货，库存在美国、上海和台湾。
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PieceMakers 补丁科技该团队在 DRAM 电路设计和测试方面具有丰富的实战经验。加入我们的团队，参与全球领先的 AI 记忆体设计。 主要产品人工智能片HBLL-RAM，HiBaLL-RAM，PIM-DDR3DRAM片标准型DRAM，KGD DRAM，PSRAM应用领域高性能计算应用AI神经网络，数据科学，机器学习，进化计算，自然语言处理 去中心化数据库，身份验证，财产登记，智能合约相关产品： HBLL - 2D SIP / 144 GBPSHiBaLL - 3D Stacking / > 1 TBPSPIM-DDR3 - CNN in DRAM
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CXMT 长鑫存储作为一体化存储器制造商，公司专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售，目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产。 DRAM 产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。
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ISSI 芯成半导体ISSI 的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。 为了增加产品的多样化并提供与ISSI的SRAM，DRAM和闪存专业知识相辅相成的产品，ISSI正在开发精选的非内存产品以供在ISSI的主要市场中使用。
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Nanya 南亚科技南亚科技以创新为核心价值，致力于动态随机存取存储器（DRAM）的研发、设计、制造、营销和销售。Nanya致力于研发，使公司积累了广泛的DRAM专业知识和知识产权。 结果是一家公司以对地球环境友好的方式提供行业领先的DRAM解决方案。
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SK Hynix 海力士SK海力士致力于生产DRAM、NAND Flash和CIS非存储器为主的半导体产品。 发展历程1983 创立现代电子1984 韩国首次成功试产16Kb SRAM1987 开始出口256Kb DRAM1989 全球半导体市场份额列入前二十1995 全球首次开发256Mb SRAM，成为韩国十大制造企业
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SwissbitSwissbit 是一家集研發、生產、銷售於一體的嵌入式存儲領導廠商，產品包括DRAM和Flash Memory 兩大類。 DRAM產品主要包括DDR和DDR模組；Flash Memory產品主要包括SSD，CF卡，CFast 卡，SD卡，TF卡，U盤，UFD模組等。產品廣泛應用於工業、通信、醫療、航太、鐵路、測繪等行業。
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UnilC 紫光国芯公司是以存储技术为核心的产品和服务提供商，核心业务包括标准存储芯片，模组和系统产品，嵌入式DRAM和存储控制芯片，以及专用集成电路设计开发服务，产品包括DRAM KGD、DRAM颗粒、DRAM模组、系统产品和设计服务 公司十余年来一直专注于存储器尤其是DRAM存储器的研发和技术积累，拥有从产品立项、指标定义、电路设计、版图设计到硅片、颗粒、内存条测试及售前售后技术支持等全方位技术积累。 在面向大数据和人工智能等新兴领域，公司采用三维集成技术，实现将逻辑晶圆和DRAM晶圆的异质集成，开发出高带宽、大容量的3D DRAM芯片，及内嵌超高带宽超低功耗DRAM的人工智能（AI）芯片。
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Samsung Semiconductor 三星半导体我们的辉煌历程纵观公司历史，从艰难起步到全球半导体巨擘，我们一直秉持着对创新的不懈追求1975 开始为 发光二极管 (LED) 手表大量生产 集成电路 (IC)1988 开发 4Mb DRAM1998 开始发布业界先进的 128Mb 闪存,美国奥斯汀工厂开始生产 (SAS),于1990-1999 占据世界舞台中心2009 开始大规模生产业界先进的 40 纳米级 2Gb DRAM2015 开始量产基于 推动行业变革，现已蓄势待发，准备实现下一次的飞跃2010 32nm高介电金属闸极(HKMG: High-K Metal Gate)工艺研发成功；20nm级NAND闪存量产；2011 30纳米级4Gb移动DRAM 中国西安工厂(SCS)开始投入生产；2015 第17号生产线开始投入生产；14纳米鳍式场效应晶体管移动应用处理器(AP)开始量产；2016 10纳米鳍式场效应晶体管系统级芯片(SoC)量产；10纳米级DRAM 量产；核心技术移动端光线追踪，端侧AI，像素技术，超高分辨率传感器，高动态范围技术，内存主要产品DRAM，固态硬盘，嵌入式存储，CXL 存储器，多制层封装芯片，处理器，图像传感器，显示芯片，安全解决方案
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9月存储新动态 | 全球DRAM产能向服务器领域集中09-19 10:32
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全球芯片商削减生产设施投资 内存市场充满不确定？08-23 07:57
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韩国存储芯片大厂海力士表示：不会下调产能08-22 00:24
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