美光启动全球尖端存储芯片制造基地建设
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1月12日消息，存储巨头美光科技宣布，将于1月16日下午在美国纽约州正式破土动工，兴建其规划中的巨型晶圆厂。
美光启动全球尖端存储芯片制造基地建设
美光科技近日宣布，将在美国纽约州建设一座全球领先的存储芯片制造中心，该项目总投资额高达1000亿美元，刷新了该州历史上私人投资项目的规模纪录。
经过全面的环境评估与相关审批流程，项目已进入施工前的最后准备阶段，为正式动工铺平道路。该基地计划建设四座先进工厂，旨在打造全球最具竞争力的存储芯片生产体系，以应对人工智能等前沿领域不断扩大的市场需求。
早在2022年10月，美光就公布了该项目的初步规划，并原定于2024年年中启动施工。但由于涉及上万页的环境影响评估文件，审查过程耗时较长，整体进度因而推迟约一年半。
根据最新施工安排，美光预计将在2025年3月31日前完成基地的场地清理作业，并随即开展铁路支线建设及湿地整治工作。首座工厂有望于2030年正式投产，第二座工厂将在三年后投入运营。待全部四座工厂于2045年建成投产后，该项目预计将创造约9000个就业岗位。
据市场研究机构Counterpoint Research的数据显示，2025年第三季度全球HBM（高带宽内存）市场中，美光以21%的营收占比排名第三，位列韩国SK海力士（57%）和三星电子（22%）之后。
而在覆盖HBM在内的整个DRAM市场中，市场份额分别为：SK海力士34%、三星电子33%、美光26%。若美光能够顺利实现其市场扩张目标，将其在全球存储芯片市场的份额提升至40%，则有望超越当前领先企业，成为全球存储产业的领军者。
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