三星电子西安晶圆厂启动第八代236层V-NAND量产

创芯人 20260401

  • NAND闪存

三星电子西安晶圆厂启动第八代236层V-NAND量产

根据韩国媒体近日披露，三星电子在中国西安的NAND闪存制造基地已完成技术升级，正式投入生产第八代236层堆叠的V-NAND（V8 NAND）产品。

作为三星在韩国以外的重要半导体制造中心，西安晶圆厂自2024年起持续推进技术革新，将原有的V6（128层）NAND闪存产线进行升级。此举意在提升存储器的性能表现与制造效率，进一步巩固其在全球存储市场中的产能优势，以应对人工智能等新兴技术对高容量、高速度存储解决方案的持续增长需求。

随着V8 NAND的量产落地，三星已在规划下一阶段的产品演进路径，目标为286层堆叠的V9 NAND。相关产线将部署在西安X2工厂，并预计于2026年内实现技术转换与批量生产。

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