SK海力士发布iHBM散热方案，热阻降幅超30%

知感 20260529

SK海力士发布iHBM散热方案，热阻降幅超30%

近日，SK海力士宣布推出一项创新的高带宽内存（HBM）散热技术——iHBM，旨在提升高负载环境下系统的运行稳定性。该技术通过在封装内部集成冷却组件，有效降低发热问题。

iHBM方案中，SK海力士将热控单元部署于HBM芯片发热最集中的D2D PHY区域，并通过专门设计的热传导路径实现高效导热。该热控单元名为ICE（集成冷却元件），采用高导热性但非导电的硅材料，为HBM提供额外的散热通道，从而优化整体热管理性能。

图源：SK海力士

在制造工艺方面，iHBM基于Advanced MR-MUF基础WLP技术构建，该技术已在市场上广泛应用，具备良好的量产稳定性。SK海力士强调，该方案与客户当前的系统封装架构高度兼容，因此在部署过程中无需对现有设计进行大规模调整。

公司计划将iHBM应用于下一代HBM5产品线，以应对高性能计算与AI数据中心等场景下日益增长的散热挑战。该技术不仅有助于提升系统稳定性，还能增强整体运营效率。

SK海力士封装开发部门副总裁李康旭表示，iHBM是公司在内存设计与先进封装技术基础上融合开发的优化散热方案。随着AI计算负载不断上升，如何有效控制HBM的发热，已成为决定性能释放与系统可靠性的重要因素。行业厂商正持续投入资源，推动封装与散热技术的持续演进。

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