源杰科技拟投资42.68亿元建设半导体产业园，加速高端激光器芯片产能扩张

近日，光芯片龙头企业源杰科技发布公告，计划在陕西省西咸新区沣西新城投资建设源杰半导体科技产业园（暂定名，以最终备案名称为准）。该项目旨在突破公司当前产能限制，扩大高端激光器芯片的生产规模，推动相关产品的规模化制造与产业化应用，进一步增强产品交付能力与市场竞争力。

据公告披露，该项目总投资额预计约为426,815.67万元，包含土地出让金，具体金额以实际投资为准。项目拟购地块位于西咸新区，土地性质为工业用地，使用年限为50年，面积约为126亩。投资方案将根据项目规划批复、用地条件及环境容量等因素进行相应调整。

源杰科技表示，该项目由公司独立出资并主导实施，资金来源为自有资金及自筹资金，不涉及其他合作方。项目聚焦于高速激光器芯片领域，旨在抓住数据中心市场快速发展的机遇，满足数字经济对光通信核心器件日益增长的需求。

依托公司在IDM（集成器件制造）流程中的自主可控技术积累以及现有客户资源，源杰科技希望通过产能扩张与工艺优化，持续适应市场变化，进一步提升其在全球激光器芯片市场的份额与综合竞争力。

此前，源杰科技发布的2026年上半年业绩预告显示，公司预计实现营业收入9亿元至9.5亿元，同比增长339.13%至363.53%；净利润预计为6亿元至6.5亿元，同比增长1196.91%至1304.98%。公司指出，收入的大幅增长主要得益于数据中心业务的强劲表现。

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