斥资逾四十亿美元 SK海力士于美国印第安纳州启动HBM先进封装基地奠基工程

当地时间8月27日，SK海力士在印第安纳州西拉斐特市普渡大学霍洛威体育馆正式拉开新一代人工智能存储封装产线的建设序幕。该项目的落成标志着企业在北美市场布局高端半导体制造环节迈出关键一步。

项目整体资本支出突破四十亿美元规模。依照工程推进节点，核心无尘车间拟于2028年10月具备投产条件，后续搭载最新架构的高带宽存储器（HBM）产品有望在次年第三季度实现规模化交付。

作为该企业跨出亚洲的首座HBM制造枢纽，新厂将依托跨国供应链协同机制运转。源自韩国本土的精密晶圆经物流通道输送至北美厂区，完成微凸块制作、硅通孔互联及最终可靠性检测等关键工序后，即可无缝对接北美终端应用市场。

产线建设周期内，企业将并行搭建先进封装技术验证平台。该设施旨在联合下游客户、学术机构及产业链上下游企业，针对三维堆叠、混合键合等前沿工艺开展联合攻关，缩短从概念设计到工程样机迭代的周期，并强化电学特性与热管理效能的实测评估。

现阶段，逾百家涉及特种化学品、精密机械组件及自动化检测装备的供应商正积极对接落户事宜。产业经济模型显示，伴随土建施工与后续常态化运转，该枢纽将有效激活区域半导体配套网络，预计带动上下游企业新增约七千个技术型与管理型岗位。

仪式期间，企业代表与普渡大学校方完成了技术合作备忘录的签署程序。依托该协议框架，产学研三方将聚焦高集成度芯片架构与微纳封装工艺展开深度交流，旨在为下一代AI算力集群与MEMS传感器模组提供底层硬件支撑与系统集成方案。

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