ASML:现有技术能实现1nm工艺

电子工程世界 20220518

  • 光刻系统
  • gate-all-around FETs
  • 1nm工艺

5 月 13 日,ASML 在一篇公众号文章中称,现有技术能实现 1nm 工艺,摩尔定律可继续生效十年甚至更长时间。

ASML 称,在半导体领域,摩尔定律 —— 这一诞生于 1965 年的前瞻推断,就扮演着如同光一样的角色,指引芯片制造的每一次创新与突破。在过去的 50 多年里,摩尔定律不断演进。摩尔关于以最小成本制造复杂芯片的最初预测,也在演进过程中被转述成各种各样的表述,现在这个定律最常被表述为半导体芯片可容纳的晶体管数量呈倍数增长。1975 年,摩尔修正了自己的预测:晶体管数量翻倍的时间从最初的一年上升到两年。


据了解,摩尔认为,增加芯片面积、缩小元件尺寸以及优化器件电路设计是实现晶体管数量翻倍的三个重要因素。

  

ASML 称,在过去的 15 年里,很多创新方法使摩尔定律依然生效且状况良好。从整个行业的发展路线来看,它们将在未来十年甚至更长时间内让摩尔定律继续保持这种势头。在元件方面,目前的技术创新足够将芯片的制程推进至至少 1 纳米节点,其中包括 gate-all-around FETs,nanosheet FETs,forksheet FETs,以及 complementary FETs 等诸多前瞻技术。此外,光刻系统分辨率的改进(预计每 6 年左右缩小 2 倍)和边缘放置误差(EPE)对精度的衡量也将进一步推动芯片尺寸缩小的实现。

  

ASML 称,只要我们还有想法,摩尔定律就会继续生效。


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