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Cor Energy 能华微电子江苏能华微电子科技发展有限公司 于2010年成立,是一家专注于第三代半导体GaN的高新技术企业,核心团队汇聚了从外延到器件设计、制造工艺,封装和测试到应用模块等各个环节的科技创新型高级专家,是全球为数不多同时掌握增强型 能华半导体采用IDM全产业链模式,致力于硅基GaN(GaN-on-Si),蓝宝石基GaN(GaN-on-Sapphire), 碳化硅基GaN(GaN-on-SiC) 晶圆与器件的研发、设计、制造与销售 能华的6英寸/8英寸GaN晶圆和功率器件涵盖40V-1200V。 2018年:6寸/8寸GaN功率器件通线2020年:D Mode GaN功率器件实现量产,获得车规级认证 IATF169492021年:E Mode GaN功率器件实现量产,D Mode GaN直驱方案功率器件工业级布局 2022年:GaN功率器件出货1000万颗2023年:GaN功率器件出货5000万颗,与多家头部企业达成战略合作企业文化能华愿景使命客户第一,成就客户,共赢发展;积极向上,追求成长,迎接变化,务实创新!
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Runxin 润新微电子;3月:通过1000小时HTRB测试;1月:ISO9001认证2018 12月:第二代650V器件出样;11月:国家级高新技术企业2017 12月:第一代650V器件出样;9月:二期器件厂房改建;4月: ,提高器件可靠性控制生长条件实现的高均匀性和重复性氮化镓 (GaN) 功率器件技术成熟度高栅压安全区间大类MOS,应用简单易实现市场化氮化镓 (GaN) 器件应用与硅驱动方案兼容更高的电压,更好的导电能力更小的体积 ,更好的温度控制更高的效率,更低的能耗抗辐照等特殊应用氮化镓 (GaN) 功率器件氮化镓 (GaN) 功率器件润新微电子提供具有更高性价比、稳定可靠的氮化镓产品,致力于推动电能转换革命! 技术成熟度高栅压安全区间大类MOS,应用简单易实现市场化高效率;可靠;服务氮化镓 (GaN) 器件应用氮化镓(GaN)器件应用润新微电子提供具有更高性价比、稳定可靠的氮化镓产品,致力于推动电能转换革命! 润新微电子氮化镓功率器件的批量HTRB验证结果达到5000小时无失效;通过1000伏以上的加速老化测试反推400伏下的器件寿命大于百万小时;在Boost硬开关电路中维持壳温150℃ HTOL运行寿命达一万小时无故障
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华燊泰科技:拥有完善的器件可靠性测试能力荣誉资质自成立以来,公司拥有多项专利及雄厚的资质品牌理念服务方针:深入客户的业务场景和痛点,提供量身定制的解决方案客户关系理念:助力客户实现业务成功和价值提升,实现互利共赢的目标质量理念 氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体材料。 PD快充在消费电子领域,GaN器件是目前最快的功率开关器件,并且可以在高速开关的情况下仍保持高效率水平,能够应用于更小的元件,应用于充电器时可以有效缩小产品尺寸。 随着人们对快充需求的不断增加,使用GaN功率器件,可以使充电器更轻巧。未来,GaN充电器市场即将迎来快速成长期,将越来越发挥它的作用。 这样的趋势下,LED 照明无论在居家、商业或工业领域的渗透度,皆有大幅度成长,利用氮化镓 (GaN) 的高频高效特性,基于 GaN 功率晶体管设计的 LED 驱动器,将为 LED 照明带来改变竞局的能效提升
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中科半导体微纳制造技术研究院研究院面向国家重大战略及产业技术攻关需求,布局"新型显示与光电探测"、"功率电子与5G通信"、"MEMS智能传感"等研究方向,开展化合物半导体材料、光电子器件、电子器件、传感器件、精密印刷电子等多种半导体材料与器件工程化研究 研究院面向重大科研任务实施及区域产业发展需求,建设针对大尺寸材料外延、光电子器件、功率器件、射频器件、传感器件、生物芯片等领域的8吋硅基MEMS和化合物半导体芯片加工中试平台,开展GaN外延材料生长、芯片加工 、封装测试等公共服务。
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Coolsemi 功成半导体功成半导体以市场需求为导向,技术创新驱动,致力于半导体功率器件的研发与产业化,为客户提供高效可靠的产品。 主要从事低压屏蔽栅SGT、高压超结SJ、沟槽栅场截止型IGBT、SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块IPM、功率IC的设计和研发。 公司与国内领先的晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作,具备完善的ISO9001质量管理体系,确保产品的持续优质和稳定供货。
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Infiwave 英飞睿化合物基MMIC芯片技术基于先进的GaAs及GaN外延材料、器件与工艺技术,掌握C/X/Ku/Ka等波段T/R MMIC套片,超宽带放大器MMIC芯片、低噪声放大器MMIC芯片、高功率高效率GaN功率放大器 ,一条满足研发测试和小规模出货的芯片后道产线,一间有效测试距离12米的远场暗室,一间可测试1.5米口径天线的近场暗室。 生产能力自有生产线严格的质量保障体系保证批量化生产能力依托强大的研发实力,公司拥有国内的相控阵终端研发、制造、生产、测试验证平台和生产基地。 年生产能力可达20万通道/年。 主要产品GaN/GaAs MMIC&Device公司主要围绕微波毫米波相控阵天线应用推出完整的T/R套片解决方案,频率覆盖X/Ku/Ka等波段,包括幅相多功能、T/R芯片、PA、LNA、限幅器、无源元件等多种类型产品 微波T/R组件及子系统作为中国批量交付T/R组件最多的民营企业之一,公司可生产多型大功率高可靠微波组件产品,具备为客户提供各类砖式、瓦式微波组件和微系统产品开发能力,并建有微组装批量生产线和自动测试线,
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Empower RF SystemsEmpower RF Systems 是用于电子战、雷达、卫星通信、威胁模拟、通信和产品测试的RF和微波功率放大器解决方案的技术领导者。 工业和科学我们的产品提供所有类型的干扰测试和RFI加固验证所需的超宽带能力和精度。作为Empower放大器解决方案的一部分,多千瓦功率组合和脉冲要求可以定制配置。 我们的产品线融合了最先进的GaN、LDMOS、MOSFET、GaAsFET和双极器件技术。 这一突破性设计正在SiC器件上使用LDMOS和GaN,用于用户应用,包括EW、雷达、定向能、Satcom、EMC和RF产品测试。 构建和测试支持的具体安排因工作而异,但在所有情况下,最终的质量保证和产品认证都在英格尔伍德进行。
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中航微电子中航(重庆)微电子有限公司 (简称“中航微电子”)是中航工业集团控股的一家从事半导体芯片设计、制造、测试的半导体公司,以功率半导体器件、功率/模拟集成电路为产业基础,面向工业电子、消费电子、汽车电子和航空电子芯片市场 具备高可靠性和高性能的功率、模拟和数字混合信号、MEMS传感器等技术开发和制造平台,并可提供高可靠性功率器件、高性能传感器、高可靠性功率模块等自主可控产品和方案。 传感器等技术开发和制造平台,并提供电源管理、功率器件等自主产品。 高可靠性的MOS、IGBT、GaN功率器件;. 0.15微米、0.18微米高可靠性模拟和混合信号芯片,可用于数字、模拟信号处理芯片、电源管理芯片、LCD/LED驱动电路芯片、专用锂电池管理芯片、掌上电脑用 肖特基等二极管工艺器件。中航微电子先后通过了ISO9001质量管理体系、ISO14001环境管理体系、ISO/TS16949汽车业管理体系,公司由此具有更卓越的产品品质和更高的信息安全性。
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ASDsemi 安森德安森德(ASDsemi)在芯片设计、制造、测试、封装等方面有着丰富的行业经验,核心技术自主可控,拥有多项自主知识产权及发明专利。 安森德(ASDsemi)致力于为全球客户提供半导体功率器件和模拟IC,产品覆盖功率器件:中低压 、高压、超结MOSFET,第三代半导体SiC、GaN;模拟芯片:电源管理芯片、信号链芯片;SiP系统级芯片三大类产品线 南科大联合实验室成立2022年 首个SiP产品正式量产2021年 进入立讯、辰阳、台德等客户AVL,出货超2亿只2020年 出货超5000万只质量体系认证和国家高新科技企业认证2019年 DC-DCIC正式流片;GaN 安森德ASDsemi SJ MOSFET系列产品,采用自主创新先进的多层外延技术,优化了器件开关特性,使其在系统应用中具有更好的表现,为系统设计提供更多选择,可广泛应用于新能源汽车充电桩。
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PGtec 派格测控专业的团队为客户提供优质的、完整的测试技术解决方案和服务,产品包括:5G射频前端(基站及消费电子)测试系统、毫米波芯片/模组量产测试系统,高速ADC/DAC芯片测试系统,模块化仪器仪表等。 半导体测试解决方案射频前端模组5G时代,射频前端产品的研发和生产需求前所未有的紧迫和急切,RFIC 半导体工程师要求研发和生产测试设备不仅能满足不断变化和迭代的测试需求,还要能够不断优化以获得更高的性价比 面对越来越复杂的需求,利用现代的模块化技术,派格测控(PGtec®)推出了面向RFFEM的实验室及量产测试的PGT-X系列测试系统,结合分选机或探针台,可以提供完整的射频功率器件量产测试方案。 矢量网络分析仪;矢量收发模块;源测量模块;开关矩阵;通讯模块物联网IoTPGtec 经验针对连接标准的多站点射频芯片测试解决方案;针对精密半导体、传感器和广电设备的测试解决方案;高效的多站传感器测试方案物联网 IoT的应用传感器和微机电系统;物联网终端节点;低成本的连接产品射频前端测试机;GaN PA加速老化测试机;AD/DA测试机;测试附件行业解决方案白色家电参照EN 60456(洗衣机)/61121(干衣机
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是德科技Agilent安捷伦B1505A曲线追踪仪2023-09-25
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是德科技安捷伦B1505A曲线追踪仪2023-08-21