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Lumberg Automation 隆堡 934889075 传感器电缆 - 组件
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Advanced Photonix（API） PDU-G105A-SM 光学传感器 - 光电二极管
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Precise Instrument 普赛斯仪表 PMST-2200V 半导体测试设备
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深圳力钛科 LET-5000系列 功率半导体静态参数测试系统
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Electro Optical Components, Inc. Deep UV Radiometer 辐射探测器
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KEYENCE 基恩士 LS-7070M 光学千分尺和激光千分尺
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LumaSense Technologies, Inc. UV 400 and UVR 400 工业温度计
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河北欧速电子 OSA-42 负氧离子传感器 负氧离子
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GaN Systems 氮化镓系统GaN Systems 提供了一系列氮化镓高功率晶体管用于消费，数据中心，工业和运输业的功率转换应用。 氮化镓系统 (GaN Systems)的新一代氮化镓功率晶体管产品正在引领电源系统与能源在短期关系和“近乎未来的”关系发生行业变化，从而产生了重大的产品和整个系统的演变。
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Power X 博尔芯半导体博尔芯(上海)半导体科技有限公司 成立于2022年，公司由前凌特/美信、华为、英飞凌资深技术专家，以及复旦大学研究团队创建，致力于激光雷达、48V电源和驱动、以及高性能GaN电源芯片及系统设计，主要应用于自动驾驶 另有国内首家定制开发PXH1005高边VCSEL系列驱动，PXHB半桥驱动，PXD/PXC集成GaN模组系列产品应用于数据中心电源和电机驱动等领域。 主要产品激光雷达驱动产品栅极驱动产品氮化镓(GaN) IC
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Cor Energy 能华微电子GaN技术、耗尽型GaN技术以及耗尽型GaN直驱方案的半导体公司，自成立至今已获得专利100多项。 能华半导体采用IDM全产业链模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si),蓝宝石基GaN（GaN-on-Sapphire), 碳化硅基GaN（GaN-on-SiC) 晶圆与器件的研发、设计、制造与销售 能华的6英寸/8英寸GaN晶圆和功率器件涵盖40V-1200V。 发展历程2021年：能华半导体成立2013年：建立国内首条GaN研发中试线2015年：承担国家专项项目开始产业化建设2016年：启动GaN功率器件6寸/8寸产线2017年：建设3000平米十级、百级无尘车间 2018年：6寸/8寸GaN功率器件通线2020年：D Mode GaN功率器件实现量产，获得车规级认证 IATF169492021年：E Mode GaN功率器件实现量产，D Mode GaN直驱方案功率器件工业级布局
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GAN Semiconductor 格恩半导体安徽格恩半导体有限公司（以下简称“格恩半导体”）成立于2021年8月，由国内外化合物半导体芯片领域的领军人才联合创立，位于安徽省六安市金安经济开发区。项目总投资额20亿元，于2022年6月建成投产。公司汇聚了一批化合物半导体行业精英人才，博士专家团队近20人，核心研发技术人员100余人，皆具有15年以上研发及产业化经验。 格恩半导体聚焦于化合物半导体细分领域，专注于高性能、高功率、高可靠性半导体光电芯片核心技术开发及产业化，现已申请专利200余项，其中发明专利占比90%以上，拥有覆盖化合物半导体激光器芯片设计、外延生长、芯片制造、封装测试等全系列工程技术能力及量产制造能力，深耕于高端化合物半导体芯片的研发、生产和销售，立志成为化合物半导体行业领军企业。格恩半导体坚持以自主知识产权的领先技术为基础，致力于为客户打造性能领先、品质可靠的产品。公司产品在激光加工、激光医疗、激光显示、车载照明、通讯传感等领域有着广泛的应用。格恩半导体将实现高端化合物半导体芯片国产化，尤其是公司研发生产的大功率激光芯片突破国际封锁实现国产自给，解决国内应用端芯片依赖进口的“卡脖子”问题。同时，推动国内高端化合物半导体芯片产业不断做强做优做大，助力国内半导体芯片产业的高质量发展。主要产品激光器发光二极管光电探测器代工业务
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Runxin 润新微电子(GaN) 功率器件技术成熟度高栅压安全区间大类MOS，应用简单易实现市场化氮化镓 (GaN) 器件应用与硅驱动方案兼容更高的电压，更好的导电能力更小的体积，更好的温度控制更高的效率，更低的能耗抗辐照等特殊应用氮化镓 (GaN) 功率器件氮化镓 (GaN) 功率器件润新微电子提供具有更高性价比、稳定可靠的氮化镓产品，致力于推动电能转换革命！ 技术成熟度高栅压安全区间大类MOS，应用简单易实现市场化高效率；可靠；服务氮化镓 (GaN) 器件应用氮化镓（GaN）器件应用润新微电子提供具有更高性价比、稳定可靠的氮化镓产品，致力于推动电能转换革命！ 功率器件PD充电器特点GaN功率管开关损耗小，整机效率高GaN驱动频率高，整机体积减少，功率密度提高工业电子无整流桥，元件个数更小，线路简单，系统成本至少下降15%利用氮化镓器件超低的反向恢复特性，实现转换效率由 因此，润新微电子氮化镓功率器件在第三象限导通时的损耗为p-GaN增强型器件的1/3-1/5，优势非常明显。荣誉资质
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HMT 恒迈瑞材料；COF IC柔性封装基板(COF Film) 的设计、开模定制、封测；化合物半导体材料：4H-N型/4H-SI型SiC Ingots晶棒，SiC晶圆切割片，SiC双抛衬底片，碳化硅同质外延片；氮化镓GaN 衬底片Free-Standing Substrate/ Gan-On-SAP Template, 各类GaN Epitaxy Wafer 外延片 GaN-On-SiC/GaN-On-Si/GaN-On
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Skysemi 思开半导体产品系列：Trench Mos、SGT Mos、IGBT、Sic、Gan、Super Junction。 主要产品MOSFET，IGBT，SiC/GaN，Analog IC，Super Juction应用领域Industry，BMS，New Energy，BLDC，Power，Automobile
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WAVICEWavice (Wave + Device)提供垂直集成的GaN RF技术，全面解决国防监控系统和商用5G系统的问题。 韩国唯一的射频氮化镓晶圆厂——0.4微米/0.3微米MMIC代工服务耐用的GaN晶体管(提高了可靠性)定制裸片设计服务专用于IMFET(完全匹配晶体管)产品韩国军方第一大GaN模块(Tx托盘/ TRM
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SMEI 赛微电子北京赛微电子股份有限公司以半导体业务为核心，面向物联网与人工智能时代，一方面重点发展MEMS工艺开发与晶圆制造业务，一方面积极布局GaN材料与器件业务，致力于成为国际化知名半导体科技企业集团。 公司目前的主要产品及业务包括MEMS芯片的工艺开发及晶圆制造、GaN外延材料生长与器件设计，下游应用领域包括通信、生物医疗、工业科学、消费电子等。 已运营MEMS产线：瑞典FAB1&2-MEMS芯片-8英寸晶圆-产能7,000片/月；北京FAB3-MEMS芯片-8英寸晶圆-设计总产能3万片/月(已实现5,000片/月)；青岛GaN产线-GaN
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GenicomGenicomCo.Ltd.自创立伊始即已专注基于GaN的专业技术，现已发展成为紫外线检测技术和产品的整体解决方案专家。通过开发与环境相关的各种检测和应用技术，公司正在成为全球传感器领域专家。
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