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Precise Instrument 普赛斯仪表基于自主核心仪表产品，我司创新打造了半导体参数分析仪、功率器件静态参数测试系统、大功率激光器老化测试系统、miniLED测试系统、电流传感器测试系统等测试平台，以高效率、高精度、低成本为核心，实现市场应用的集成创新 主要产品台式仪表S系列高精度台式源表，SXXB系列高精度台式源表，P系列高精度台式脉冲源表，PX00B系列高精度台式脉冲源表，PL系列窄脉冲LIV测试系统HCP系列大电流台式脉冲源表，HCPL100高电流脉冲电源 ，HCPL系列大功率激光器测试电源，E系列高电压源测单元插卡式仪表CS系列插卡式数字源表，A400数据采集卡，CP系列脉冲恒压源测试系统SPA6100半导体参数分析仪，PMST功率器件静态参数测试系统， 半导体功率器件C-V特性测试系统，LDBI多路大功率激光器老化系统，CTMS电流传感器测试系统激光半导体测试解决方案功率半导体，分立器件，集成电路，材料研究，传感器，微电子教学研发团队4位教授级专家/博士研发人员总数占比 、温漂等验证平台，丰富的功率器件测试经验，完善的测试设备发展历程2009年武汉普赛斯电子股份有限公司成立2010-2014年国家高新技术企业 误码仪、光功率计、光衰等产品问市2015年成立数十人的源表研发团队
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Haiwei 海微光电聚焦换能器高精度聚焦超声换能器：精准声场控制与高功率可靠性。聚焦超声换能器采用精确排列的压电陶瓷元件，以特定几何形状分布于凹面结构上。 产品具备高功率稳定性，确保长时间连续操作的可靠性，同时以精确调教的声场实现高精度聚焦，使治疗更高效、精准。我们先进的设计工艺与元件质量控制，为医疗应用提供持久耐用、性能优异的聚焦超声解决方案。 特种压电陶瓷海微针对高功率、高温等极端条件，开发了一系列高可靠性的压电陶瓷材料。这些先进的材料不仅满足严格的性能要求，还能够在推荐的使用条件下实现长期稳定可靠的工作。 海微的压电陶瓷专为高耐用性和高精度而设计，能够在关键环境中提供持久的高效性能，为各类苛刻应用保驾护航。 技术服务压电器件粘接服务，超声波声场仿真服务，压电堆叠陶瓷器件评估，压电陶瓷应用评估研发合作气体介质超声波声学测试平台用于气体介质中超声波换能器特性的评估和测试。测试声速、声衰减、声阻抗等参数。
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TIANHENG 天恒科仪我公司已开发直流、光电、射频、微波、光波、特殊应用定制等全系列常温、高温、高低温、真空环境探针测试平台、半导体器件参数测试系统、光电藕合测试系统、射频、微波器件测试系统、功率器件高压、大电流测试系统等产品 、晶圆测试系统2023年 发布功率器件测量系统及产品设备主要产品探针台小型探针台、小型真空高低温探针台、平板探针台、通用探针台、高温探针台、密闭高低温探针台、真空高低温探针台、大功率探针台、射频/微波探针台 、测试软件集成系统晶圆测试系统、光电耦合测量系统、功率器件测量系统解决方案半导体参数测量天恒旗下产品，为客户提供从晶元到系统的专业半导体测试方案，并提供搭配其他测试设备。 支持以上特性的多通道同步测试。针对高功率半导体材料或半导体器件，搭配高功率晶体管参数曲线图示仪，或称晶体管曲线追踪仪，支持高压、高流等条件下直流特性IV曲线、电容电压特性CV曲线测试。 芯片设计测试平台包括：针对高速串行芯片设计，提供完整的发送端测试解决方案，配备高带宽实时示波器、各种探头、一致性测试夹具、一致性测试软件等，支持的标准覆盖各类常用标准，包括：PCIE/DDR/USB/ETH
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LETAK 力钛科技力钛科技术通过与美国Teledyne LeCroy等多个厂家的紧密合作,共同开发了针对全球市场应用的产品，专注于功率半导体开发和应用， 并推出了静态参数测试系统、功率半导体动态参数自动化系统、半导体可靠性试验系统等半导体测试仪器 当今数字示波器中的一些耳熟能详的 “术语”都是力科最先发明或引入到示波器领域的，是全球首个发布并推出12位示波器和高CMRR光隔离探头的厂商。 选择力钛科技术做您忠诚的合作伙伴，让力钛科系列产品成为您测试系统值得信赖的选择。企业文化使命：降低实验室人员工作强度，提升工作效率，同时提高工作质量。愿景：成为优秀的实验室设备和智慧实验室方案提供商。 荣誉资质主要产品测试系统集成电路教学平台系统；功率器件动态参数测试系统；电力电子测量系统；卫星定位信号模拟系统
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Windmill 温米芯光杭州温米芯光科技发展有限公司（简称“温米芯光”）由海归博士创办，是一家以高功率半导体激光器芯片为核心产品的技术型、国际化科创公司，公司总部位于“创新活力之城”杭州。 芯片国产化是当务之急由于芯片制造产业链长，包括EDA、IP、装备、设计、制造、封装测试、掩膜制造、材料等环节，一环被卡，整体就会被“卡脖子”，而我国在IP、EDA、光刻机、芯片制造这4个环节上都尤为弱势 在此背景下，温米芯光的研发团队专注于高功率激光芯片领域，主打国产化高端激光器芯片，致力于实现技术国际化和制造国产化。 公司面向L3及以上级自动驾驶激光雷达核心激光器芯片进行布局研发，核心产品包括高饱和功率1550nm增益芯片、高功率1550nmFP激光器芯片等，并可根据客户需求，提供TO、蝶形等各种封装形式的元器件产品 主要产品高功率激光源芯片 / Optoelectronic chip高功率激光器 / Laser激光器驱动及测距模组 / Laser sensing
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南京时恒电子科技有限公司公司 牵头起草制定了《用于抑制浪涌电流的MF72 普通功率型负温度系数热敏电阻器》团体标准，参与了《道路车辆被动电子元件技术要求》团标的起草，参与了国家“十三五”、“十四五”规划的起草。 时恒电子凭借自主研发的工艺方法和技术，生产的产品具有高精度、高可靠性、高稳定性等突出优势。产品广泛应用于工业电子设备、通讯、电力、交通、医疗设备、汽车电子、家用电器、测试仪器、电源设备等领域。 公司拥有25000平方现代化生产厂房、全套的自动化生产设备、完善的专项测试仪器，具有生产各类敏感电子元器件48亿只以上的年生产能力。全部产品均按欧盟RoHS指令实现了环保生产。 MF58 系列产品通过 UL标准中 10 万次耐久测试的产品。MF52B 高性能产品已通过双 85 测试、水煮测试、温度冲击试验耐电压测试。 主要产品热敏电阻器功率型热敏电阻，测温型热敏电阻，补偿型热敏电阻，贴片式热敏电阻温度传感器新能源汽车领域，医疗电子领域，生活家电领域，电动工具领域，其他用途温度传感器压敏电阻器系列
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YASC 长飞先进与第一代硅器件相比，碳化硅器件具有开关损耗小、工作结温高、导热能力强等优势。 莫桑实验室莫桑实验室是一个集科研、测试与分析于一体的综合性实验室，专注于宽禁带半导体SiC材料的研究与产业化应用，以及产品可靠性、失效分析、特性测试与应用测试等多个领域。 ，可满足工业领域中高频高压、高功率的需求，能进一步提高电能的转换效率、实现系统的小型化和轻量化。 SiC器件具有高禁带宽度、高饱和速率、高热导率的特点，可实现高速开关，整体损耗比Si基器件减小50%以上，有助于增加电动车的续航里程，满足800V高电压需求，实现系统的轻量化，解决电动车的三大需求痛点。 功率器件在车载上的应用主要包括主驱逆变器、车载充电器、DC/DC转换器等，有较广的使用场景， 故SiC器件有望在新能源汽车的高速发展下大规模普及应用。
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SICHAIN 清纯半导体清纯半导体 成立于2021年3月，为国内的碳化硅功率器件设计和供应商，去年底宣布完成高瓴创投领投的数亿元首轮融资。公司拥有的研发团队，始终瞄准国际技术前沿，以提供国际一流的碳化硅功率芯片为己任。 公司成立一年来，技术与产品发展迅速，目前已突破国产SiC功率器件设计及大规模制造瓶颈，在极短时间内先后开发出自主知识产权的SiC二极管及 Mosfet器件产品，产品先后通过车规级可靠性测试，是目前国内唯一能够在 SiC器件核心性能和可靠性方面达到国际一流水平、并且基于国内产线量产SiC Mosfet的企业。
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BYD 比亚迪半导体比亚迪半导体股份有限公司 是国内领先的IDM企业，主要从事功率半导体、智能控制IC、智能传感器、光电半导体，半导体制造及服务，覆盖了对光、电、磁等信号的感应、处理及控制， 产品广泛应用于汽车、能源、工业和消费电子等领域 功率半导体用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件，广泛应用于各种电子设备。功率器件经过十多年技术沉淀，产品涵盖MOSFET、IGBT、IPM、SiC功率器件等。 未来比亚迪功率半导体产业将不断优化提升IGBT及SiC芯片和模块性能表现，往高效率、高集成、高可靠性方向快速发展。 制造与服务比亚迪半导体代工业务主要包含晶圆制造及封装测试两大部分组成，产品涵盖车用IGBT及FRD晶圆制造以及DFN/QFN封测、Wafer划片、晶圆测试、成品测试等服务。 Wafer划片能力涵盖Si晶圆、Taiko晶圆及SiC晶圆切割等工艺；测试能力可提供CP、FT、Tri-Temp等定制产品测试开发业务。
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Runxin 润新微电子，提高器件可靠性控制生长条件实现的高均匀性和重复性氮化镓 (GaN) 功率器件技术成熟度高栅压安全区间大类MOS，应用简单易实现市场化氮化镓 (GaN) 器件应用与硅驱动方案兼容更高的电压，更好的导电能力更小的体积 PD充电器特点GaN功率管开关损耗小，整机效率高GaN驱动频率高，整机体积减少，功率密度提高工业电子无整流桥，元件个数更小，线路简单，系统成本至少下降15%利用氮化镓器件超低的反向恢复特性，实现转换效率由 高栅压安全工作区间润新微电子氮化镓功率器件最大栅压为±20伏，与硅MOS管一致，保证了功率开关管在导通转态下电阻最小，且器件栅压有足够的裕量来应对开关过程中的电压过冲等不利因素，避免造成对器件的潜在损伤和失效 高击穿电压，高可靠性润新微电子氮化镓功率器件没有pn结，不具备类似于硅器件的雪崩击穿能力，通常在额定电压上留足耐压裕量。 润新微电子氮化镓功率器件的批量HTRB验证结果达到5000小时无失效；通过1000伏以上的加速老化测试反推400伏下的器件寿命大于百万小时；在Boost硬开关电路中维持壳温150℃ HTOL运行寿命达一万小时无故障
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吉时利2430数字源表2023-08-25
