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为你提供精选IGBT，筛选出高品质高参数性能产品，助力采购、研发生产快速选择匹配对应产品，节省前期选品时间，快速投入到产品应用环节。

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严选IGBT厂家，提供从IGBT设计、研发、生产制造深耕产品，打造值得信赖的传感器品牌，解决选品、技术支持问题，实现采购放心、售后无忧。

CREATEK 达晶微

类型：制造商

CREATEK 团队具有丰富的国内外功率半导体研发和生产经验，创始人具有国内IGBT芯片率先实现量产和销售的经验。公司在IGBT和平面磁学方面拥有国际先进的设计和工艺技术，并在国内建立了可靠的用于功率半导体测试和应用的实验室。我团队在8英寸、6英寸晶圆制造平台上同时研发成功国际最先进的沟槽式IGBT技术（第五代技术），并开发出核心的8英寸、6英寸IGBT芯片600V、1200V、1700V芯片指标方法国际上最先进。公司拥有全部IGBT技术第2代（平面NPT）、第3代（平面FS）、第4代（沟槽NPT）、第5代（沟槽FS）以及8英寸、6英寸芯片的开发能力。制造的600V-1700V可满足IGBT的全部或大部分应用，IGBT技术达到国内外先进水平。CREATEK 秉承“绿色设计、绿色制造”的使命，致力于成为全球领先的电力电子研发和制造商。
Starpower 斯达半导体

类型：制造商

公司总部位于浙江嘉兴，占地106亩，在上海和欧洲均设有子公司，并在国内和欧洲设有研发中心，是目前国内IGBT领域的领军企业。公司主要产品为功率半导体元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。公司成功研发出了全系列IGBT芯片、FRD芯片和IGBT模块，实现了进口替代。公司建立了国际先进的功率模块生产线，建立了完备的产品可靠性实验室和工况模拟实验室等，可实现IGBT模块等产品的性能和静动态测试、IGBT模块工况模拟测试等。斯达半导体经过多年的自主研发，打破了国际巨头的技术和市场垄断，实现了IGBT芯片和模块的产业化。公司总部设于浙江嘉兴，占地106亩，在浙江、上海和欧洲均设有子公司，并在国内和欧洲设有研发中心，是目前国内IGBT领域的领军企业。
NCEPOWER 新功率 / 新洁能

类型：制造商

公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售，产品优质且系列齐全，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G 公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售，公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和封装成品。公司将进一步依托技术、品牌、渠道等综合优势，结合大尺寸晶圆芯片（8英寸、12英寸）先进工艺技术，开拓国际先进功率器件封装制造技术，全力推进高端功率MOSFET、IGBT、集成功率器件的研发与产业化，持续布局半导体功率器件先进前沿的技术领域
TAIXIN 泰昕微电子

类型：制造商

是面向新能源汽车、通用工业产品功率芯片及器件研发的企业，专注于IGBT/SiC功率模块及分立器件的研发、设计、封装、测试及销售业务，为客户提供完整的解决方案。主要产品集成模块、IGBT模块企业宗旨客户需求出发；匹配最佳应用；保证产品稳定；实现持续供货荣誉资质
Skysemi 思开半导体

类型：制造商

产品系列：Trench Mos、SGT Mos、IGBT、Sic、Gan、Super Junction。主要产品MOSFET，IGBT，SiC/GaN，Analog IC，Super Juction应用领域Industry，BMS，New Energy，BLDC，Power，Automobile
博晟特电气

类型：经销商

2、IGBT模块：士兰微、英飞凌、三菱、赛米控、富士。3、风机：施乐百、洛森、建准、台达、施依洛。4、MOSFET、可控硅、单管、整流桥产品：瑞华、三社、IR、IXYS、APT。 5、IGBT配套产品: IDC谏早（三菱）驱动片、PI(CONCEPT)驱动板；AVAGO、NEC、TOSHIBA光藕； EPCOS、CDE、创格等品牌的电解电容及无感电容； LEM、霍尼韦尔传感器，COSEL
深圳倾佳

类型：经销商

深圳市倾佳电子有限公司-专业功率半导体(IGBT单管，IGBT模块，碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN)以及新能源汽车连接器分销商，致力于服务中国工业电源及新能源汽车制造商。除了车载应用，SiC碳化硅的替代IGBT方案开始在工业的UPS系统（不间断电源）、轨道交通等领域推出。
PEAKSEMI 上海浦峦

类型：制造商

公司主要从事IGBT、MOSFET、 SiC等功率半导体芯片与器件的设计、制造和销售，并提供相关的应用解决方案。总部设在上海，上海为芯片设计中心，湖北襄阳拥有封测产线，深圳设有销售办事处。公司研发团队拥有十余年功率半导体芯片研发和制造经验，率先实现国产IGBT芯片量产；拥有国际领先的IGBT，MOSFET及SiC等功率半导体芯片的设计和工艺技术，是少数掌握晶圆制成工艺、悬浮压接封装技术、英寸芯片晶圆平台上同时开发成功二代技术(平面型NPT)，三代技术(平面型FS)，四代技术(沟槽型NPT).五代技术(沟槽型FS)等芯片工艺；开发出6英寸及8英寸，电压等级600V、1200V、 1700V，各种电流规格的IGBT
Silikron 硅能半导体

类型：制造商

新硅能微电子(苏州)有限公司由各知名高校、研究所教授及优秀的功率器件、模块设计团队组成，均具有十数年以上器件及模块设计和应用经验；聚焦Si/SiC基MOSFET、IGBT、FRD、PIM和IPM等产品科研支持硅能半导体功率MOSFET芯片设计工程技术研究中心是江苏省省属实验室，我们打造了一个为MOSFET、IGBT、SiC和模块等主要产品的研究和开发提供强大支持的创新平台，致力于为MOSFET、IGBT 为MOSFET、IGBT、SiC和模块等产品的深入研究和开发提供了一个受控、创新的环境。
南京晟芯

类型：经销商

公司与韩国专业的电力电子技术方面的人才合作，自主研发设计以FRD、 MOSFET、IGBT为主要产品的单管及模块。

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