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LEAPSIC 嘉展力芯半导体青岛嘉展力芯半导体有限责任公司 成立于2021年，公司坐落于青岛嘉展智谷智慧园区，嘉展力芯是一家致力于研发与生产第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块的高科技企业，是国内一家拥有车规级碳化硅MOS管、二极管尖端技术的企业 企业愿景中国领先的碳化硅功率器件半导体供应商。致力于研发与生产中高电压第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块，做对社会发展有价值，产业兴盛有责任的实体企业！ 碳化硅功率器件测试实验室产品应用新能源车目前我国已逐步跨入新能源汽车时代，为了满足大输出功率的需求，功率半导体器件材料从硅基IGBT转向碳化硅MOSFET，电压平台从400V升级到800V，搭载的功率半导体器件的需求也大幅提升 来源：中国粉体网高效率电源碳化硅基功率器件可以提供比硅基功率器件更高的功率转换效率水平，这主要是由于能量损失和反向充电损失显著降低。这导致在开启和关闭阶段需要更多的开关功率和更少的能量。 电力电网以碳化硅基为代表的宽禁带功率半导体器件,因其高耐压、高耐温、高频开关等优良特性,在中高压领域应用前景广阔。其典型应用之一即因硅基器件耐压水平有限而难有突破的电力电子变压器。
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HestiaPower 瀚薪科技上海瀚薪科技有限公司 是一家致力于研发与生产第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块的高科技企业，是国内一家能大规模量产车规级碳化硅MOS管、二极管并规模出货给全球知名客户的本土公司。 公司通过十多年的积累，已拥有深厚的、具有自主知识产权的器件设计和工艺研发的能力，已经取得和正在申请的国内外发明专利近50项，突破了国外大厂在碳化硅技术上的垄断，成为大中华区碳化硅功率半导体行业的优秀企业
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Hongwan 弘湾半导体弘湾半导体是一家功率半导体的Fablite 轻资产型设计公司，专注于高性能功率半导体、能源变换与传输核心器件驱动和第三代半导体化合物功率芯片等产品，公司的核心技术及产品涵盖：高性能线性稳压器（LDO）、 MOS/IGBT 栅驱动IC芯片、三相电机驱动、宽禁带半导体氮化镓（GaN）芯片等。
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GaNo Optoelectronics 镓敏光电镓敏光电团队具备强大的技术研发能力，有着丰富的半导体器件设计制造及管理经验，以开发国际上性能领先的紫外传感芯片为使命，为高灵敏度紫外传感提供完美的解决方案。 镓敏光电致力于研发和生产基于新型宽禁带半导体材料的高性能紫外传感器。 宽禁带半导体是近年来国内外重点研究和发展的新型第三代半导体材料，其代表材料包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）半导体，具有禁带宽度大、导热性能好、电子饱和漂移速度高以及化学稳定性优等特点，用于耐高温、 高效能的高频大功率器件以及工作于紫外波段的光探测器件，具有显著的材料性能优势。 目前，镓敏光电已建成完整的芯片加工工艺线和高标准的芯片与器件检测实验室，并在国内首先批量供应多型号高灵敏度GaN和SiC紫外传感器产品。
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NOYUSEM 蓉矽半导体成立于2019年，是致力于第三代宽禁带半导体碳化硅（SiC）功率器件设计与开发的高新技术企业。 蓉矽拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队，整合台湾与欧洲先进碳化硅制造工艺平台，结合大陆封测和应用解决方案，建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链，独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件 蓉矽拥有极富经验的国际化团队，包括十年碳化产品开发经验的欧洲与日本国际化团队，涵盖制程、器件设计与可靠性验证；得到了电子科技大学功率集成技术实验室团队的大力支持，还有瑞士器件设计与工艺专家与前日本汽车电子功率器件设计与可靠性专家鼎立坐阵
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Dynax 能讯半导体苏州能讯高能半导体有限公司（简称“能讯半导体”）成立于2011年，是国内领先的射频氮化镓（GaN）制造服务商，率先在中国开展了氮化镓射频芯片、功放管的研发与规模商用，为5G移动通讯基站、宽频带通信等射频领域提供高能效半导体产品及解决方案。能讯半导体拥有丰富的射频产品线，覆盖了电信基础设施、射频能源及各类通用市场的应用，形成了从氮化镓管芯到氮化镓功放管的系列化产品平台，满足客户多元化的应用场景需求。能讯通过自主研发构筑了完整的氮化镓射频芯片技术体系，包括：外延生长、芯片设计、晶圆制造、封装测试及可靠性等方面。截至2022年5月，公司拥有国内外氮化镓相关专利437件（海外发明专利107件），累计形成工艺菜单2000余项。公司投资并运营昆山第一工厂多年，设计产能为4吋氮化镓晶圆2.5万片/年。公司具备了在氮化镓芯片技术、规模生产、稳定运营等多维度的核心竞争力。 能讯致力于全面的客户满意，不断提升产品质量。以ISO9001为基础，建立了完整的覆盖产品实现全过程的质量管理体系，从产品设计开发、产品生产到最终出厂检验，每个流程都进行严格的标准管控，确保产品质量的可靠性与一致性。能讯愿景为信息与能量传输提供高效能半导体，成为值得信赖的合作伙伴。能讯使命让智能世界自由互联主要产品陶封分立功放管，塑封分立功放管，集成多芯片模块，H系列管芯产品，J系列管芯产品 主要应用无线通信，射频能源，多用途市场
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Semipower 芯派科技芯派科技在2018年投资建设了西安芯派新能源汽车动力控制研发中心 和 西安宽禁带半导体器件应用中心。 西安宽禁带半导体器件应用中心，是关于第三代半导体(宽禁带半导体)应用方案的解决中心。 宽禁带半导体应用研究院和上海及苏州研发团队承担公司主要的前沿技术研发，公司完整的Super Junction MOSFET产品线即由上海(及苏州)研发中心所设计；深圳公司则以业务、工程、及品管、仓管等为主 新电源产品芯派新电源为芯派旗下全资子公司“西安宽禁带半导体应用科技研究院有限公司”的简称，主要从事新器件、新封装、新拓扑在电源上的应用研究及成果转化，同时开展高功率密度模块电源的研发、生产及销售工作，拥有独立的电源品牌 （香港）有限公司西安芯派新能源汽车动力控制研究院有限公司西安宽禁带半导体应用科技研究院有限公司
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HXM 华芯微电子III-V族化合物砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）及衍生化合物以其直接带隙结构、禁带宽度和优秀的电子迁移率，毋庸置疑地成为HBT器件的最佳材料。 HEMTHEMT 高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor, HEMT）是一种复合半导体场效应晶体管（FETs），它使用两种具有不同能隙的材料，通常包括一个宽禁带半导体 （如AlGaAs）和一个窄禁带半导体（如GaAs）形成异质结，在结界面形成二维电子气层为载流子提供沟道。 器件的栅极（Gate）则通过肖特基势垒（Schottky barrier）与源/漏极（Source/drain）一同控制和调节二维电子气层中的电子流。 III-V族化合物半导体因其高电子迁移率、击穿场强和更易得的异质结构，能实现HEMT器件高速、高功率和稳定性等多项优秀性能。
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成都岷山功率半导体技术研究院成都岷山功率半导体技术研究院，领军人才为原上海华虹技术负责人张帅博士，团队成员包括原IBM半导体微电子部副总裁白杰先、功率半导体国际著名专家张波等，具备将工艺技术、器件结构、版图设计、器件模型开发、产品设计和系统应用完美结合的能力 聚焦硅基功率半导体分立器件和功率集成技术、第三代宽禁带功率半导体器件、以及电源管理模块及工艺开发，打造晶圆减薄、可靠性测试两个平台。
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华燊泰科技PD快充在消费电子领域，GaN器件是目前最快的功率开关器件，并且可以在高速开关的情况下仍保持高效率水平，能够应用于更小的元件，应用于充电器时可以有效缩小产品尺寸。 应用场景灯光照明TV电源氮化镓作为高转换效率宽禁带半导体材料的代表，基于氮化镓功率器件开发的快充方案，使用高度集成的氮化镓功率芯片，可以获得精简的外围电路，仅需搭配几颗降压MOS和VBUS开关管即可组成一个方案 应用场景电动汽车储能电力转如今的储能系统被要求处理不常见的高水平电流，并且维持高度的可靠性和稳定性，在必要时，它们还需要快速精准地释放储存的能量，这需要高质量的宽禁带功率半导体。 华燊泰科技参与制定宽禁带功率半导体的行业标准。与传统硅器件相比，华燊泰科技的碳化硅 MOSFET 和二极管具有更高的性能和更低的损耗，同时允许能源系统工程师设计出更轻便的系统，降低整体系统尺寸和成本。 而驾驭清洁能源则需要更精尖的技术和更高的可靠性，华燊泰科技的碳化硅功率器件，就是为了这样的需求而制造的。
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