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YES POWERTECHNIXYES POWERTECHNIX成立于2017年，是一家专注于SiC功率半导体（SiC二极管，SiC MOSFET）的公司。 YES POWERTECHNIX是韩国第一家将SiC功率半导体商业化的公司，它在其母公司YEST的全力支持下增加了优秀工程师和国营研究机构的技术支持。 股份公司YES POWERTECHNIX是专门生产2017年成立的SiC 功率半导体(SiC Diode, SiC MOSFET)的企业。 因此,全世界电气特性突出的SiC功率半导体的适用范围正在扩大,但国内没有批量生产技术和设施,这是产业界的长期苦恼。 现在yes power technix的SiC功率半导体常用产品和研究成果使先进元件的国产化成为可能同时将成为巩固技术强国的自豪感和半导体发达国家自豪感的基石。
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IVCT （InventChip Technology） 瞻芯电子上海瞻芯电子科技有限公司 是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司，2017年成立于上海临港，致力于开发碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模块产品，并围绕碳化硅 (SiC)功率半导体应用，为客户提供一站式(Turn-key)芯片解决方案。 瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司，建成了一座按车规级标准设计的SiC晶圆厂，并将持续创新，放眼世界，致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅(SiC)功率半导体和芯片解决方案提供商
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UnitedSiC 联合碳化硅利用美国 UnitedSiC 创新的设备技术加速SiC的采用，使客户能够为社会最先进的应用提供业界领先的电源效率，尤其是在移动性，IT基础设施和可再生能源方面。 幸运的是，过去几十年对宽带隙研究的投资现已形成成熟的 SiC 功率器件供应链，从根本上改变了主流功率转换器的效率和功率密度。 我们的技术可以直接替换 PFC、LLC 或 PSFB 拓扑的硅超结，并直接兼容任何 SiC MOSFET 竞争对手的栅极驱动要求。 此外，我们拥有 SiC 器件中性能最高的体二极管、最低的温度 Qrr、近 5V 的 EMI 抗扰度阈值电压以及出色的短路额定值。所有这一切都伴随着业界最广泛的 SiC 分立晶体管产品组合。 强大的专利组合展示的产品性能广泛的产品范围深厚的 SiC 专业知识
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SemiQ是一家总部位于美国的碳化硅 (SiC) 功率半导体器件和材料开发商和制造商，包括：SiC 功率 MPS 二极管（650V、1200V、1700V）碳化硅模块碳化硅功率MOSFETSiC 定制模块碳化硅裸片 SiC 定制 N 型外延晶圆SemiQ 是一家私营企业，部分员工持股。 最近，SemiQ 发布了第三代 SiC 肖特基二极管（合并 PiN 肖特基型），其中包括浪涌电流、防潮性以及整体鲁棒性和坚固性方面的改进。加速高温可靠性测试已超过800万器件小时。 为了降低客户的风险，SemiQ 正在构建一个具有多个来源的完全冗余供应链，用于：碳化硅衬底组装和测试工厂SiC外延晶圆仓库碳化硅晶圆制造
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HMT 恒迈瑞材料苏州恒迈瑞主要产品及定制服务包括：COF封装驱动芯片(Driver IC) 的选型及应用；COF IC柔性封装基板(COF Film) 的设计、开模定制、封测；化合物半导体材料：4H-N型/4H-SI型SiC Ingots晶棒，SiC晶圆切割片，SiC双抛衬底片，碳化硅同质外延片；氮化镓GaN衬底片Free-Standing Substrate/ Gan-On-SAP Template, 各类GaN Epitaxy Wafer 外延片 GaN-On-SiC/GaN-On-Si/GaN-On -SAP 的定制及应用。
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RZC 瑞之辰科技深圳市瑞之辰科技有限公司 是一家芯片设计、方案研发的高科技公司，成立于2007年，主要产品有SiC功率器件、传感器芯片、电源管理芯片等。公司拥有自己的知识产权，拥有数十项发明专利和实用新型专利。 近年来公司研发了SiC、IGBT等功率器件，封装形式有TO247-3、TO247-4PHC、IPM24A-D、WPM11C等外形，产品主要应用在储能、白电、充电桩、逆变器、光伏、汽车、高铁、电网等领域。
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DACO 罡境电子台湾罡境电子股份有限公司，成立于1994年，是台湾半导体行业中先驱且创新的芯片和模块装配制造商，专注于设计、制造优质的半导体产品，涵盖IGBT、SiC（碳化硅）二极管、SiC（碳化硅）金属氧化物半导体场效晶体管 推出正弦波逆变器模块2008 自动电源回收控制单元 （APRCU）2010 推出首款 800A 肖特基二极管模块与 Infineon Technologies 合作成为首选设计公司 （PDH）2012 碳化硅 （SiC ） 产品开发2013 可控硅整流器 （SCR） 产品开发2014 推出碳化硅 （SiC） 二极管模块2015 推出功率 MOSFET 模块2016 推出碳化硅 （SiC） 功率 MOSFET2017 推出 IGBT 模块2018 新加坡销售代表处设立2020 推出碳化硅 （SiC） 桥式整流器2023 碳化硅 （SiC） MOSFET 分立器件主要产品IGBT；Silicon Carbide；MOSFET
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NOYUSEM 蓉矽半导体成立于2019年，是致力于第三代宽禁带半导体碳化硅（SiC）功率器件设计与开发的高新技术企业。 发展历程2024年第二代车规级SiC MOSFET正式发布；蓉矽半导体第二代NovuSic® 1200V 20mΩ SiC MOSFET正式发布通过AEC-Q101车规级可靠性认证；蓉矽半导体碳化硅 MOSFET通过AEC-Q101车规级考核和HV-H3TRB加严可靠性验证2023年《2023 碳化硅(Sic)产业调研白皮书》正式发布；蓉矽半导体参编《2023 碳化硅(SiC)产业调研白皮书》，助力产业加速发展创新四川省专精特新中小企业认定 二极管(G1)量产；1200V/20A EJBS™二极管正式量产2021年订单金额达300万；硅基MCR@订单金额达300万SiC MOSFET(G1)量产；SiC MOSFET(G1)1200V /75mΩ 正式量产SiC MOSFET(G1)开发成功1200V/75mΩ SiC MOSFET 第一次工程流片即达91.2%良率天使轮融资完成；进行MCR产品优化及SiC产品量产硅基MCR科技成果转化
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Skysemi 思开半导体产品系列：Trench Mos、SGT Mos、IGBT、Sic、Gan、Super Junction。 主要产品MOSFET，IGBT，SiC/GaN，Analog IC，Super Juction应用领域Industry，BMS，New Energy，BLDC，Power，Automobile
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深圳倾佳深圳市倾佳电子有限公司-专业功率半导体(IGBT单管，IGBT模块，碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN)以及新能源汽车连接器分销商，致力于服务中国工业电源及新能源汽车制造商。 近年来，倾佳电子-着力推广国产碳化硅SiC功率器件，国产SiC-MOSFET，国产SiC-MOSFET功率模块，国产氮化镓GaN HEMT以及配套的隔离驱动IC，自举驱动IC,不断在高压汽车电驱系统、高压快充桩 除了车载应用，SiC碳化硅的替代IGBT方案开始在工业的UPS系统（不间断电源）、轨道交通等领域推出。
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