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Global Power 泰科天润泰科天润半导体科技（北京）有限公司 (Global Power Technology)是中国碳化硅（SiC）功率器件产业化的倡导者之一。 泰科天润致力于中国半导体功率器件制造产业的发展，并向全球功率器件消费者提供优质的半导体功率器件产品和专业服务。 泰科天润总部坐落于中国北京中关村东升科技园北领地内，园区环境优雅。 作为国内碳化硅研发生产和平台服务型公司，泰科天润的产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案。 目前泰科天润的碳化硅器件650V/2A-100A，1200V/2A-50A，1700V/5A -50A，3300V/0.6A-50A等系列的产品已经投入批量生产，产品质量完全可以比肩国际同行业的先进水平 我们是谁中国碳化硅功率器件产业化的倡导者之一我们做什么碳化硅功率器件，包含各种封装形式的碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET和碳化硅模块我们如何做拥有完整的碳化硅加工产线和经验丰富的技术团队
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BASiC 基本半导体深圳基本半导体有限公司 是中国第三代半导体创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。 基本半导体掌握碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率半导体的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等产业链关键环节，拥有知识产权两百余项，核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块 、功率器件驱动芯片等，性能达到国际先进水平，服务于光伏储能、电动汽车、轨道交通、工业控制、智能电网等领域的全球数百家客户。 、广东省第三代半导体碳化硅功率器件工程技术研究中心，荣获中国专利优秀奖、深圳市专利奖、2020“科创中国”新锐企业、“中国芯”优秀技术创新产品奖、中国创新创业大赛专业赛一等奖等荣誉。 核心产品碳化硅肖特基二极管碳化硅MOSFET裸片和晶圆服务门极驱动芯片混合碳化硅分立器件汽车级全碳化硅功率模块工业级全碳化硅功率模块产品应用车用电子 , 工业电子
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SemiQ是一家总部位于美国的碳化硅 (SiC) 功率半导体器件和材料开发商和制造商，包括：SiC 功率 MPS 二极管（650V、1200V、1700V）碳化硅模块碳化硅功率MOSFETSiC 定制模块碳化硅裸片 SemiQ（以前称为 Global Power Technologies Group）于 2012 年开始在其位于南加州的总部开发碳化硅技术，该公司还在那里种植 Epi 并设计设备。 加速高温可靠性测试已超过800万器件小时。SemiQ Gen 3 二极管经过 100% 雪崩测试。SemiQ的产品广泛应用于世界各地的电动汽车充电系统、感应加热、电源、燃料电池发电和太阳能逆变器。 此外，SemiQ还提供功率转换应用专业知识，在3.3kW、6.6kW及以上逆变器的设计方面拥有丰富的经验。 为了降低客户的风险，SemiQ 正在构建一个具有多个来源的完全冗余供应链，用于：碳化硅衬底组装和测试工厂SiC外延晶圆仓库碳化硅晶圆制造
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HestiaPower 瀚薪科技上海瀚薪科技有限公司 是一家致力于研发与生产第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块的高科技企业，是国内一家能大规模量产车规级碳化硅MOS管、二极管并规模出货给全球知名客户的本土公司。 公司通过十多年的积累，已拥有深厚的、具有自主知识产权的器件设计和工艺研发的能力，已经取得和正在申请的国内外发明专利近50项，突破了国外大厂在碳化硅技术上的垄断，成为大中华区碳化硅功率半导体行业的优秀企业
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NOYUSEM 蓉矽半导体成立于2019年，是致力于第三代宽禁带半导体碳化硅（SiC）功率器件设计与开发的高新技术企业。 蓉矽拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队，整合台湾与欧洲先进碳化硅制造工艺平台，结合大陆封测和应用解决方案，建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链，独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件 产品涵盖碳化硅EJBS™ (Enhanced Junction Barrier Schottky)二极管与碳化硅MOSFET；硅基产品有175˚C高结温的理想二极管MCR®（MOS-Controlled MOSFET通过AEC-Q101车规级考核和HV-H3TRB加严可靠性验证2023年《2023 碳化硅(Sic)产业调研白皮书》正式发布；蓉矽半导体参编《2023 碳化硅(SiC)产业调研白皮书》，助力产业加速发展创新四川省专精特新中小企业认定 蓉矽拥有极富经验的国际化团队，包括十年碳化产品开发经验的欧洲与日本国际化团队，涵盖制程、器件设计与可靠性验证；得到了电子科技大学功率集成技术实验室团队的大力支持，还有瑞士器件设计与工艺专家与前日本汽车电子功率器件设计与可靠性专家鼎立坐阵
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LEAPSIC 嘉展力芯半导体企业愿景中国领先的碳化硅功率器件半导体供应商。致力于研发与生产中高电压第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块，做对社会发展有价值，产业兴盛有责任的实体企业！ 混合碳化硅模块碳化硅（SiC）二极管和晶体管是现代电力电子解决方案和创新电力电子解决方案的关键组件，旨在实现超高功率密度和效率。 通过将芯片与功率模块中的硅功率器件结合，可以实现这些目标。 碳化硅功率器件测试实验室产品应用新能源车目前我国已逐步跨入新能源汽车时代，为了满足大输出功率的需求，功率半导体器件材料从硅基IGBT转向碳化硅MOSFET，电压平台从400V升级到800V，搭载的功率半导体器件的需求也大幅提升 碳化硅功率器件在新能源汽车中的应用场景包括：主驱逆变器、OBC（车载充电器）、快速充电桩，以及大功率DC/DC等。 来源：中国粉体网高效率电源碳化硅基功率器件可以提供比硅基功率器件更高的功率转换效率水平，这主要是由于能量损失和反向充电损失显著降低。这导致在开启和关闭阶段需要更多的开关功率和更少的能量。
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IVCT （InventChip Technology） 瞻芯电子上海瞻芯电子科技有限公司 是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司，2017年成立于上海临港，致力于开发碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模块产品，并围绕碳化硅 (SiC)功率半导体应用，为客户提供一站式(Turn-key)芯片解决方案。 瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司，建成了一座按车规级标准设计的SiC晶圆厂，并将持续创新，放眼世界，致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅(SiC)功率半导体和芯片解决方案提供商
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DACO 罡境电子台湾罡境电子股份有限公司，成立于1994年，是台湾半导体行业中先驱且创新的芯片和模块装配制造商，专注于设计、制造优质的半导体产品，涵盖IGBT、SiC（碳化硅）二极管、SiC（碳化硅）金属氧化物半导体场效晶体管 凭借优秀的技术，领导罡境电子在功率电子半导体先进技术趋势中处于优越地位。在过去的几年里，罡境电子一直与为军事应用提供服务的公司保持合作关系，研究和制造符合军事规范的高功率整流模块。 推出正弦波逆变器模块2008 自动电源回收控制单元 （APRCU）2010 推出首款 800A 肖特基二极管模块与 Infineon Technologies 合作成为首选设计公司 （PDH）2012 碳化硅 （SiC） 产品开发2013 可控硅整流器 （SCR） 产品开发2014 推出碳化硅 （SiC） 二极管模块2015 推出功率 MOSFET 模块2016 推出碳化硅 （SiC） 功率 MOSFET2017 推出 IGBT 模块2018 新加坡销售代表处设立2020 推出碳化硅 （SiC） 桥式整流器2023 碳化硅 （SiC） MOSFET 分立器件主要产品IGBT；Silicon Carbide；MOSFET
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Wolfspeed 沃孚半导体的创始人是第一个成功将碳化硅商业化的人，并且 35 年多来一直专注于为高功率应用设计和提供业界性能最高的碳化硅和碳化硅基氮化镓材料和设备。 背景为山脉的风车代表 Wolfspeed 用于可再生能源的碳化硅产品我们利用碳化硅的力量让世界变得更美好。随着我们向 Wolfspeed 的发展，我们正在引领创新和制造的未来。 我们是业内唯一拥有市场上经过最现场测试的碳化硅和碳化硅基氮化镓解决方案的完全商业化、广泛产品组合的公司。 我们每天都在与客户合作，为我们所有人创造一个更可持续的未来——一个由碳化硅和我们团队的热情和毅力提供动力的未来。汽车我们的宽带隙碳化硅器件可实现更快、更高效的充电并增加电动汽车的续航里程。 工业的我们的碳化硅半导体和专业知识使电源系统设计人员能够升级几乎所有工业电源，同时减少能耗。
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Navitas 纳微半导体我们正在运用我们发明的业界首个氮化镓（GaN）功率芯片，实现这场史无前例的行业革新。该功率芯片能让充电器的开关速度提高100倍，同时使能源节约提高3倍或以上。 纳微半导体（纳斯达克股票代码:NVTS）成立于2014年，是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司。 GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。 性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。 纳微半导体拥有超过185项已经获颁或正在申请中的专利，其中，氮化镓功率芯片已发货超过7500万颗，碳化硅功率器件发货超900万颗。
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AUTO TECH 2025广州新能源汽车功率半导体展：了解行业新动态，推动行业新发展05-23 10:20
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