长飞先进半导体第三代半导体功率器件研发生产基地落户武汉

江苏半导体协会 20230829

  • 半导体与集成电路
  • 碳化硅功率器件
  • 晶圆制造

8月25日，武汉东湖高新区管委会与长飞先进半导体有限公司签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议书。

 

该项目总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。

 

长飞先进半导体有限公司专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力。

 

（来源：CINNO/JSSIA整理）

查看全文

点赞

江苏半导体协会

作者最近更新

  • 英特尔将为车用芯片设计厂商Valens代工
    江苏半导体协会
    2024-01-11
  • 《国家汽车芯片标准体系建设指南》发布
    江苏半导体协会
    2024-01-11
  • 芯原股份拟募资18.08亿元投建Chiplet及新一代IP研发项目
    江苏半导体协会
    2024-01-10

期刊订阅

相关推荐

  • 英飞凌高价收购赛普拉斯后将成全球第八大芯片公司

    2019-06-04

  • 霍尔效应曲轴位置传感器应用原理

    2019-07-09

  • 苹果高管访问三星商讨iPhone芯片潜在短缺问题

    2019-07-19

  • 华为海思正为PC开发更多芯片 至少采用7纳米工艺

    2019-08-11

评论0条评论

×
私信给江苏半导体协会

点击打开传感搜小程序 - 速览海量产品,精准对接供需

  • 收藏

  • 评论

  • 点赞

  • 分享

收藏文章×

已选择0个收藏夹

新建收藏夹
完成
创建收藏夹 ×
取消 保存

1.点击右上角

2.分享到“朋友圈”或“发送给好友”

×

微信扫一扫，分享到朋友圈

推荐使用浏览器内置分享功能

×

关注微信订阅号

关注微信订阅号，了解更多传感器动态

  • #{faceHtml}

    #{user_name}#{created_at}

    #{content}

    展开

    #{like_count} #{dislike_count} 查看评论 回复

    共#{comment_count}条评论

    加载更多

  • #{ahtml}#{created_at}

    #{content}

    展开

    #{like_count} #{dislike_count} #{reback} 回复

  • #{ahtml}#{created_at}

    #{content}

    展开

    #{like_count} #{dislike_count} 回复

    • 关闭
      广告