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华燊泰科技、氮化镓应用领域碳化硅氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。 华燊泰部署了碳化硅垂直整合产业链，以支持高压、大电流和高温系统设计，帮助工程师设计出市场中所需要的高效、低耗且具有竞争力的电动汽车。 碳化硅1200V MOSFET平台，持续支持电动汽车向800V高压平台的转型。 而驾驭清洁能源则需要更精尖的技术和更高的可靠性，华燊泰科技的碳化硅功率器件，就是为了这样的需求而制造的。 华燊泰科技的碳化硅 MOSFET 和二极管可减少能源损耗，缩减系统尺寸，并且提供更高的功率密度。
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IVCT （InventChip Technology） 瞻芯电子上海瞻芯电子科技有限公司 是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司，2017年成立于上海临港，致力于开发碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模块产品，并围绕碳化硅 (SiC)功率半导体应用，为客户提供一站式(Turn-key)芯片解决方案。 瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司，建成了一座按车规级标准设计的SiC晶圆厂，并将持续创新，放眼世界，致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅(SiC)功率半导体和芯片解决方案提供商
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BASiC 基本半导体深圳基本半导体有限公司 是中国第三代半导体创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。 基本半导体掌握碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率半导体的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等产业链关键环节，拥有知识产权两百余项，核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块 、功率器件驱动芯片等，性能达到国际先进水平，服务于光伏储能、电动汽车、轨道交通、工业控制、智能电网等领域的全球数百家客户。 深圳市的数十项研发及产业化项目，与深圳清华大学研究院共建第三代半导体材料与器件研发中心，是国家5G中高频器件创新中心股东单位之一，获批中国科协产学研融合技术创新服务体系第三代半导体协同创新中心、广东省第三代半导体碳化硅功率器件工程技术研究中心 核心产品碳化硅肖特基二极管碳化硅MOSFET裸片和晶圆服务门极驱动芯片混合碳化硅分立器件汽车级全碳化硅功率模块工业级全碳化硅功率模块产品应用车用电子 , 工业电子
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LEAPSIC 嘉展力芯半导体，公司通过多年的积累，已拥有深厚的、具有自主知识产权设计和工艺研发的能力，突破了国外大厂在碳化硅技术上的垄断，成为大中华区碳化硅功率半导体行业的优秀企业。 全碳化硅功率模块汽车级全碳化硅功率模块是为新能源汽车主逆变器应用需求推出的系列功率模块产品，包括半桥MOSFET模块、三相全桥MOSFET模块、塑封单面散热半桥MOSFET模块等，采用银烧结技术等最新的全碳化硅 混合碳化硅模块碳化硅（SiC）二极管和晶体管是现代电力电子解决方案和创新电力电子解决方案的关键组件，旨在实现超高功率密度和效率。 通过将芯片与功率模块中的硅功率器件结合，可以实现这些目标。 采用碳化硅基逆变器的平均效率能提高到 97.5%，相当于减少 25% 的逆变器损耗，碳化硅基逆变器在风力发电领域可提高 20%的转换效率。 碳化硅二极管、碳化硅三极管
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GTA 积塔半导体积塔在中国（上海）自由贸易试验区临港新片区和徐汇区建有两个厂区，已建和在建产能共计30万片/月（折合8吋计算），其中６吋7万片/月、８吋11万片/月、12吋5万片/月、碳化硅3万片/月，为汽车电子、工业控制和高端消费电子领域提供微控制器 、模拟电路、功率器件、传感器等核心芯片特色工艺制造平台和技术服务。 已建成具有自主知识产权的电源管理芯片（PMIC）、控制器（Controller）、功率器件（IGBT、SGT、FRD、TVS等）、碳化硅器件（JBS、MOSFET）、微机电系统（MEMS）等特色工艺平台 积塔是国内较早具备碳化硅（SiC）功率器件制造能力的企业，工艺技术平台覆盖JBS和MOSFET等，已建成自主知识产权的车规级650V/750V/1200V碳化硅JBS工艺平台、650V/750V/1200V 碳化硅MOSFET工艺平台。
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DACO 罡境电子台湾罡境电子股份有限公司，成立于1994年，是台湾半导体行业中先驱且创新的芯片和模块装配制造商，专注于设计、制造优质的半导体产品，涵盖IGBT、SiC（碳化硅）二极管、SiC（碳化硅）金属氧化物半导体场效晶体管 推出正弦波逆变器模块2008 自动电源回收控制单元 （APRCU）2010 推出首款 800A 肖特基二极管模块与 Infineon Technologies 合作成为首选设计公司 （PDH）2012 碳化硅 （SiC） 产品开发2013 可控硅整流器 （SCR） 产品开发2014 推出碳化硅 （SiC） 二极管模块2015 推出功率 MOSFET 模块2016 推出碳化硅 （SiC） 功率 MOSFET2017 推出 IGBT 模块2018 新加坡销售代表处设立2020 推出碳化硅 （SiC） 桥式整流器2023 碳化硅 （SiC） MOSFET 分立器件主要产品IGBT；Silicon Carbide；MOSFET
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Navitas 纳微半导体我们正在运用我们发明的业界首个氮化镓（GaN）功率芯片，实现这场史无前例的行业革新。该功率芯片能让充电器的开关速度提高100倍，同时使能源节约提高3倍或以上。 GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。 性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。 纳微半导体拥有超过185项已经获颁或正在申请中的专利，其中，氮化镓功率芯片已发货超过7500万颗，碳化硅功率器件发货超900万颗。
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SICHAIN 清纯半导体清纯半导体 成立于2021年3月，为国内的碳化硅功率器件设计和供应商，去年底宣布完成高瓴创投领投的数亿元首轮融资。公司拥有的研发团队，始终瞄准国际技术前沿，以提供国际一流的碳化硅功率芯片为己任。
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REASUNOS 瑞森半导体公司专注于高质、高性能的产品研发，核心研发第三代宽禁带半导体技术，是国内碳化硅（SiC）产品系列较早实现量产并全球销售的企业。品质、性能对标国际品牌，成功替代众多进口系列，助力芯片国产化。 在集成芯片领域， 国内首创单级大功率400W高PF无频闪LED驱动IC，是具备较强竞争力、自主创新的产品。 公司产品涵盖碳化硅MOS、碳化硅二级管、硅基平面MOS、超级结MOS、中低压MOS、LED驱动IC、电机驱动IC和系列ESD&TVS静电保护器件等，凭借产品可靠性高、参数一致性好等特点，广泛应用于新能源汽车 主要产品功率半导体器件超高压MOS，高压MOS，碳化硅MOS，碳化硅二极管，多层外延超结MOS，内置FRD高压MOS，低压MOS-SGT，低压MOS-Trench，IGBT，肖特基二极管电源管理IC恒流
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Novosense 纳芯微公司自2013年成立以来，专注于围绕各个应用场景进行产品开发，由传感器信号调理ASIC芯片出发，向前后端拓展了集成式传感器芯片、隔离与接口芯片、驱动与采样芯片，形成了信号感知、系统互联与功率驱动的产品布局 ，MEMS麦克风信号调理芯片，工业压力变送器信号调理芯片，红外PIR传感器信号调理芯片，热电堆传感器信号调理芯片，传感器信号调理专用芯片评估套件温度传感器和温湿度传感器 温度传感器，温湿度传感器栅极驱动隔离驱动隔离半桥驱动 ，隔离单管驱动，智能隔离驱动非隔离驱动 >600V半桥驱动，>100V半桥驱动低边驱动 GaN功率芯片与驱动，GaN功率芯片，GaN半桥驱动通用信号链芯片电压基准串联电压基准工业/汽车专用芯片工业专用芯片 隔离电压放大器，隔离误差放大器，隔离比较器LED驱动车灯驱动车尾灯驱动电机驱动直流有刷电机驱动直流有刷电机集成驱动，直流有刷电机预驱继电器与螺线管驱动多通道低边驱动步进电机驱动双极性步进电机驱功率器件碳化硅 碳化硅JBS肖特基二极管，碳化硅MOSFET功率路径保护智能高低边开关 智能低边开关供电电源LDO≥10V低功耗通用LDODC-DC开关变换器Buck降压变换器行业应用汽车电子新能源汽车能源和动力总成系统
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