SK 海力士完成1β DRAM 制程技术研发
SK 海力士宣布，已经完成了1β 制程技术（第五代10nm 等级） 研发，并将其技术生产的DDR5 服务器DRAM 进行英特尔数据中心存储器认证程序（The Intel Data Center Certified memory program），这是英特尔代号Sapphire Rapids 的第四代Xeon 可扩展数据中心处理器所采用的存储器产品的相容性正式认证流程。
SK 海力士表示，这次提供的DDR5 DRAM 产品运行速度为6.4Gbps，也是同类产品里速率最高的，与初期的测试品项相比，数据处理速度提高了33%。而且，其采用了HKMG （High-K Metal Gate） 制程技术，相较第四代10nm 等级的1α 制程技术的产品，功耗降低了20%。
SK 海力士强调，1β制程技术的成功研发，代表着可以向全球客户供应性能与功耗兼具的DRAM 产品。SK 海力士希望2023 年开始量产最先进的1b 制程技术产品，以业界最高DRAM 竞争力水准改善2023 年下半年的业绩。此外，SK 海力士还打算将1β制程技术延伸到LPDDR5T、HBM3E 等产品上。
事实上，近期SK 海力士的财务状况并不好，上个月公布的2023 财年第一季财务报告显示，因存储器半导体市场持续低迷，需求疲软和产品价格下跌的状况冲击，该季营收较2022 财年的第四季减少，且营业亏损加大。为此，SK 海力士决定以DDR5 服务器DRAM 和HBM 等高性能DRAM，加上采用176 层堆叠NAND Flash 的SSD、uMCP 等产品为中心进行销售，以提升营业收入。
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