西安三星半导体 12 英寸闪存芯片扩建项目取得新进展，项目正式进入主体施工阶段
今年10月，三星电子和SK海力士等韩国公司获得美国政府无限期豁免，其中国工厂无需特别许可即可进口半导体芯片制作设备，而且他们在取得豁免后也确实在采取相应措施。
中建钢构消息显示，三星（中国）半导体12英寸闪存芯片M-FAB项目模块已完成首吊，这也标志着项目正式进入主体施工阶段。
公开资料显示，三星（中国）半导体有限公司2012年落户西安高新区，而三星半导体西安工厂是该公司唯一的海外存储器半导体生产基地。
该工厂于2020年增设了第二期工厂项目，目前已发展成为全球最大的NAND制造基地，每月可生产20万片12英寸晶圆，这占据了三星NAND总产量的40%以上。
三星西安工厂第一工厂投资108.7亿美元（IT之家备注：当前约780.47亿元人民币），2017年开始建造的第二工厂，先后投资了150亿美元（当前约1077亿元人民币）。
三星（中国）半导体公司二期项目位于西安市长安区西太路综合保税区，由三星（中国）半导体有限公司投资建设，总建筑面积约10.7万平方米。
官方指出，项目建成投产后将成为全球规模最大的闪存芯片生产基地，为西安市电子信息产业高端集群化发展，打造全球知名的电子信息产业创新高地形成强有力的支撑。
Business Korea今年10月报道称，三星电子高层已决定将其西安NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺，并开始大规模扩张。
消息人士称，三星已开始采购最新的半导体设备，新设备预计将在2023年底交付，并于2024年在西安工厂陆续引进可生产第8代NAND的设备，这也被业界视为克服全球NAND需求疲软导致产能下降的战略步骤。
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