SK海力士将在美国建HBM工厂

当地时间4月3日，SK海力士在西拉斐特普渡大学与印第安纳州、普渡大学和美国政府官员举行了投资协议仪式，正式宣布将投资38.7亿美元（约5.2万亿韩元）在印第安纳州西拉斐特建设先进的人工智能内存包装生产厂。此外，SK海力士还决定与普渡大学合作开发半导体技术。

SK海力士表示，印第安纳工厂计划从2028年下半年开始批量生产下一代高带宽存储器（HBM）等人工智能存储器产品。

此前，SK集团总裁崔泰远在2022年7月与美国总拜登的视频会议上宣布了在美国投资220亿美元的计划。同年，SK海力士宣布计划在美国建立尖端包装制造厂和研发（R&D）中心。随后，SK海力士审查了所有候选地点，最终选择了印第安纳州作为投资地点。

预计SK海力士将与其客户英伟达及其合作伙伴台湾台积电形成三角形格局，从而产生协同效应。

(JSSIA整理)

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