存储市场迎来结构性涨价浪潮，NAND Flash涨幅最高达38.46%
科技解密
存储市场迎来结构性涨价浪潮，NAND Flash涨幅最高达38.46%
11月19日，全球存储市场迎来新一轮价格大幅上涨，Flash Wafer（闪存晶圆）价格全面上扬，部分品种涨幅超过38%。继此前DRAM价格持续攀升后，这一轮涨势表明存储市场正进入新一轮紧缩周期。
从具体价格变动来看，1Tb QLC价格调升25%，报12.50美元；1Tb TLC上涨23.81%，至13.00美元；512Gb TLC涨幅最大，达到38.46%，报价9.00美元；256Gb TLC则上涨14.58%，定格于5.50美元。自第四季度以来，NAND Flash价格涨势愈发强劲，存储芯片的价格波动已从DRAM传导至Flash领域。
闪存市场波动已引发现货市场的连锁反应。在深圳华强北，存储经销商普遍感受到市场需求的快速上升。自8月以来，各类内存颗粒价格持续攀升，市场波动频繁，价格每日更新，整体趋势持续走高。
在主流电商平台，DDR4 16GB内存条的价格区间已扩大至350元至520元之间，而DDR5 16GB内存条的价格则普遍达到600元左右。电商平台上内存条价格的上升曲线显示出明显的陡峭趋势。
存储原厂暂停报价进一步巩固了现货市场的涨价基础。近期传出消息，三星电子率先停止10月DDR5 DRAM合约报价，此举促使SK海力士与美光等厂商纷纷跟进。三星向客户表示“无货可售”，导致DDR5现货价格在一周内飙升25%。
NAND Flash市场同样受到影响，业内普遍预计缺货状况将持续至2026年。全球最大NAND Flash主控芯片供应商慧荣科技总经理苟嘉章指出，随着AI应用的迅速扩张，全球存储行业正面临一场结构性、长周期的供需失衡。
存储模组厂商威刚董事长陈立白也表示，当前DRAM、NAND Flash、SSD及机械硬盘等四大存储类别同时出现缺货涨价的情况，在他三十余年的行业经验中尚属首次。他预测，第四季度将是存储市场供需矛盾加剧的起点。
存储芯片价格的持续上涨正沿着产业链向下游传导，对消费电子行业造成显著冲击。智能手机制造商首当其冲，小米、OPPO、vivo等厂商的库存普遍控制在两个月以内，部分企业DRAM库存甚至不足三周。
小米集团合伙人卢伟冰公开表示：“全球供应链的走势难以左右，存储芯片成本的上涨远超预期，并将持续加剧。”他指出，在低端手机市场，企业可能面临“生产越多亏损越多”的局面。
市场研究机构已下调对2026年全球智能手机出货量的预测，从原本的0.1%年增长率调整为2%的年降幅。笔记本电脑市场同样承压，预计2026年终端售价将普遍上调5%至15%。
数据中心运营商也在承受成本压力。某国内云服务企业采购负责人透露：“我们不得不接受更高的存储采购成本，但这些成本短期内难以转嫁给用户，企业利润空间受到明显挤压。”
当前的存储市场波动不同于以往的短期周期性波动，而是由AI算力需求激增所引发的结构性调整。业内普遍预计，这种供需失衡将贯穿2026年全年。
未来几年，存储产业将呈现出“先进制程关注技术创新，成熟制程聚焦差异化服务”的分化趋势。作为半导体行业的重要细分领域，存储芯片的供需格局重塑将深刻影响全球科技产业的发展方向。
在这一波存储市场转型过程中，产业链企业亟需加大研发投入，增强自主创新能力，打造具有市场竞争力的产品。同时，加强与上下游企业的协同合作，推动资源共享与优势互补，将成为推动行业可持续发展的关键。
此次存储芯片的价格上涨已超出传统周期性波动的范畴，成为AI驱动的产业升级和全球供应链重构的重要组成部分。其发展路径将深刻影响未来数字经济的演进方向。
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