三星启动8英寸氮化镓晶圆制造项目，预计2026年第二季度投产

创芯人 20260324

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三星启动8英寸氮化镓晶圆制造项目，预计2026年第二季度投产

韩国主流媒体报道称，三星电子的8英寸氮化镓（GaN）晶圆生产线目前已进入最后的准备阶段。

据行业内部消息透露，该产线最早有望在2026年第二季度实现量产。初期阶段，相关业务的营收预估将不超过1000亿韩元，约合人民币4.6亿元。

除芯片设计环节外，三星已在GaN技术领域建立起完整的解决方案体系，涵盖外延晶圆的自主研发与生产。这标志着三星在宽禁带半导体材料领域迈出关键一步。

值得关注的是，三星同时加快了碳化硅（SiC）功率半导体代工业务的布局，并计划在2024年内投运SiC代工产线。GaN与SiC两种材料将在不同的电压应用区间中实现互补，从而提升三星在高性能功率器件市场的竞争力。

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