意法半导体推出新型CoolSiC™ G2 1200V MOSFET，采用顶部散热Q-DPAK封装

中自网 20260324

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意法半导体推出新型CoolSiC™ G2 1200V MOSFET，采用顶部散热Q-DPAK封装

意法半导体近期扩充其CoolSiC™ G2产品系列，推出适用于高压功率应用的1200V MOSFET新品。该产品采用创新的顶部散热Q-DPAK封装技术，为工业、汽车及能源领域的高可靠性系统设计提供全新选择。

该封装结构通过优化散热路径，显著提升了器件在高负载条件下的热管理性能，有助于延长系统寿命并增强运行稳定性。此外，Q-DPAK封装的小型化设计为紧凑型电源模块和逆变器提供了更灵活的布局方案。

CoolSiC™ G2 MOSFET基于先进的碳化硅（SiC）材料，具备低导通电阻、高开关频率及低开关损耗等特性。这些优势使其成为高频DC-DC转换器、光伏逆变器及电动车辆车载充电器等应用的理想元件。

意法半导体表示，此次产品扩展进一步强化了其在宽禁带半导体器件市场的竞争力，帮助客户应对日益增长的能效与功率密度要求。

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