沈阳拓荆建设高端半导体设备产业化基地，加速推进国产化进程
传感洞见
沈阳拓荆建设高端半导体设备产业化基地，加速推进国产化进程
沈阳高新区官方消息显示，位于浑南区智能制造产业园内的沈阳拓荆高端半导体设备产业化基地项目目前已进入主体结构收尾阶段，正加快机电安装进度，全力推进关键节点。
该基地总投资额达20亿元，总建筑面积约15.6万平方米，规划布局包含研发中心与洁净厂房两个主要功能区。根据工程进度安排，预计7月中旬将实现所有主体结构封顶，年底前完成幕墙封闭工程，为后续室内外装修及景观施工提供坚实基础。整个项目计划于2027年底全面竣工并交付使用。
作为承载芯片制造核心设备研发与制造的重要平台，该项目的建成将聚焦于先进薄膜沉积设备的开发与产业化，助力填补国内半导体设备在产能方面的空白。项目投产后，有望显著提升国产高端芯片制造装备的自主供应能力，强化我国在半导体产业链中关键环节的掌控力。
在运营阶段，预计沈阳地区的相关产能将较当前提升三倍以上，全面支撑包括PECVD、SACVD、HDPCVD在内的多种高端薄膜设备实现产业化落地，进一步推动企业拓展业务规模，增强市场竞争力。
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