Power Integrations发布2200V氮化镓技术，推动高压电力系统革新
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Power Integrations发布2200V氮化镓技术，推动高压电力系统革新
圣何塞，加利福尼亚州——2026年8月5日，专注于高能效电源转换高压集成电路研发的Power Integrations（纳斯达克代码：POWI，简称PI）宣布，其PowiGaN™氮化镓（GaN）技术的额定电压已提升至2200V，远超当前所有商用氮化镓器件的电压等级。随着各行业不断升级高压母线架构以提升设备整体功率密度，这一技术突破将更好地满足高压数据中心、新能源汽车、可再生能源系统以及高压直流输电基础设施的发展需求。
PI总裁兼首席执行官Jennifer Lloyd表示：“2200V PowiGaN™技术为新一代高压电力系统提供了充足的电压裕量，并支持高频开关操作，有助于实现更高的功率密度。该技术适用于下一代AI数据中心（其技术路线图正逐步采用1500V配电架构）以及输出电压持续提升的电动汽车电池系统和辅助电源系统。此次突破标志着氮化镓的应用范围已扩展至此前由碳化硅（SiC）主导的电压区间，为光伏、高压直流输电和高端工业电能变换等应用提供了高频、高效率的替代方案。”
氮化镓功率器件凭借其高效率和高频开关能力，已在多种电源转换场景中逐步取代传统硅晶体管。然而，随着数据中心、新能源汽车、新能源发电和高压直流基础设施向更高电压和更高功率密度方向发展，氮化镓技术也面临升级压力。目前，行业常见的高压解决方案包括低频碳化硅器件和多颗低压氮化镓器件的串联配置，但这些方案在系统集成度、结构复杂性或运行可靠性方面均存在一定局限。
目前，1700V PowiGaN芯片已用于数据中心辅助电源的单级变换设计；1250V PowiGaN技术则优化了800V直流数据中心主功率变换级的堆叠式设计，简化了整体架构。而2200V PowiGaN技术的推出，意味着该技术可支持更高母线电压架构，不仅适用于数据中心，还能为新能源汽车、光伏逆变器及电池储能系统的中长期产品迭代提供技术支撑。
Yole集团化合物半导体技术与市场分析师Roy Dagher博士指出：“AI数据中心800V直流母线架构的普及正在推动功率半导体方案的升级。过去由于电压限制，氮化镓器件较少用于主功率变换，该领域主要依赖碳化硅方案。2200V氮化镓技术的出现，为主功率级单级拓扑设计提供了足够的电压裕量，能够适配当前正在推进的1500V数据中心和新能源汽车硬件设计。据行业预测，功率氮化镓器件市场规模预计将在2031年达到35亿美元，高压氮化镓技术的广泛应用将成为推动行业增长的关键因素。”
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