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IGBT芯片

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为你提供精选IGBT芯片,筛选出高品质高参数性能产品,助力采购、研发生产快速选择匹配对应产品,节省前期选品时间,快速投入到产品应用环节。
  • Silan 士兰微 SA3116A 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片

  • 北京清大天达光电科技 共晶炉 元器件制造生产设备

  • Precise Instrument 普赛斯仪表 PMST-2200V 半导体测试设备

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严选IGBT芯片厂家,提供从IGBT芯片设计、研发、生产制造深耕产品,打造值得信赖的传感器品牌,解决选品、技术支持问题,实现采购放心、售后无忧。
  • Starpower 斯达半导体

    嘉兴斯达半导体股份有限公司 成立于2005年4月,是一家专业从事功率半导体芯片和模块尤其是IGBT芯片和模块研发、生产和销售服务的国家级高新技术企业,股票简称:斯达半导,代码:603290。 公司主要产品为功率半导体元器件,包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。公司成功研发出了全系列IGBT芯片、FRD芯片和IGBT模块,实现了进口替代。 公司主要技术骨干主要来自麻省理工学院、斯坦福大学、印度理工学院、清华大学、台湾清华大学、浙江大学等国际知名高校的博士或硕士,在IGBT芯片和模块领域有着10~25年的研发和生产管理经验。 斯达半导体经过多年的自主研发,打破了国际巨头的技术和市场垄断,实现了IGBT芯片和模块的产业化。 集团成员> 嘉兴斯达嘉兴斯达半导体股份有限公司成立于2005年4月,是一家专业从事功率半导体芯片和模块尤其是IGBT芯片和模块研发、生产和销售服务的国家级高新技术企业。
  • PEAKSEMI 上海浦峦

    公司主要从事IGBT、MOSFET、 SiC等功率半导体芯片与器件的设计、制造和销售,并提供相关的应用解决方案。总部设在上海,上海为芯片设计中心,湖北襄阳拥有封测产线,深圳设有销售办事处。 公司研发团队拥有十余年功率半导体芯片研发和制造经验,率先实现国产IGBT芯片量产;拥有国际领先的IGBT,MOSFET及SiC等功率半导体芯片的设计和工艺技术,是少数掌握晶圆制成工艺、悬浮压接封装技术、 公司技术团队在6英寸和8英寸芯片晶圆平台上同时开发成功二代技术(平面型NPT),三代技术(平面型FS),四代技术(沟槽型NPT).五代技术(沟槽型FS)等芯片工艺;开发出6英寸及8英寸,电压等级600V 、1200V、 1700V,各种电流规格的IGBT芯片产品,芯片电流规格从10A至200A。 17mΩ-160mΩ、650V-1700V对应的SiC芯片已完成市场验证。可提供TO-247/247-P/247-4/T-Pack等多种封装的分立器件,及相关全SiC模块。
  • 博晟特电气

    代理/销售品牌:1、毂梁微DSP芯片。2、IGBT模块:士兰微、英飞凌、三菱、赛米控、富士。3、风机:施乐百、洛森、建准、台达、施依洛。 5、IGBT配套产品: IDC谏早(三菱)驱动片、PI(CONCEPT)驱动板;AVAGO、NEC、TOSHIBA光藕; EPCOS、CDE、创格等品牌的电解电容及无感电容; LEM、霍尼韦尔传感器,COSEL
  • Marching Power 芯长征

    核心业务包括:IGBT、coolmos、SiC等芯片产品及技术开发、IGBT模块设计、封装、测试代工等。 技术团队依托于中科院技术专家以及引进优秀的海外技术精英共同组成,团队核心成员均拥有10年以上产品开发经验,实现从芯片设计、制造工艺、封测、可靠性、应用等全链条贯通。 “一往无前长征路,自强不息中国芯”,芯长征将承载功率芯片国产化使命,秉持市场化运营的理念,为广大客户提供一流的产品与优质的服务!
  • CREATEK 达晶微

    CREATEK 团队具有丰富的国内外功率半导体研发和生产经验,创始人具有国内IGBT芯片率先实现量产和销售的经验。 公司在IGBT和平面磁学方面拥有国际先进的设计和工艺技术,并在国内建立了可靠的用于功率半导体测试和应用的实验室。 我团队在8英寸、6英寸晶圆制造平台上同时研发成功国际最先进的沟槽式IGBT技术(第五代技术),并开发出核心的8英寸、6英寸IGBT芯片600V、1200V、1700V芯片指标方法国际上最先进。 公司拥有全部IGBT技术第2代(平面NPT)、第3代(平面FS)、第4代(沟槽NPT)、第5代(沟槽FS)以及8英寸、6英寸芯片的开发能力。 制造的600V-1700V可满足IGBT的全部或大部分应用,IGBT技术达到国内外先进水平。CREATEK 秉承“绿色设计、绿色制造”的使命,致力于成为全球领先的电力电子研发和制造商。
  • Sirius 天狼芯半导体

    深圳天狼芯半导体有限公司成立于2020年1月,是一家专注于高性能功率半导体芯片和模块开发的高科技企业;公司总部位于广东深圳,在上海和成都设有子公司,能够为客户提供及时有效的技术支持与产品服务。 公司主要产品有车规级MOSFET、IGBT/FRD、GaN器件、SiC器件等等,主要应用于汽车电子、工业控制、光伏/储能、充电桩、工业电源等市场。 在IGBT领域,公司可提供1200V-6500V/15A-200A的IGBT芯片和各式电压电流的大功率IGBT模块;在SiC领域,公司成功开发出1200V/100A的SiC二极管,在世界领先,同时在1200VSiCMOSFET 产品类别IGBT,MOSFET,SiCDiode,SiCMOSFET产品应用电脑及周边,工业电子,消费电子,手机与通讯,物联网IoT
  • MOT 仁懋电子

    公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计、生产及销售,产品优质且系列齐全,涵盖了主流的集成电路的系统应用。 主营产品:肖特基二极管、三极管、低中高压MOS、快恢复二极管、低压降肖特基、IGBT等,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域。 仁懋电子坚持自主研发制造,打破国外技术壁垒,助推碳化硅汽车芯片的国产化,目前,公司已申请/获得专利近百余项形成立体的知识产权保护体系,创立自主品牌MOT,同时引进国际一流的高端设备,自动化程度高,保证了产品的稳定性 仁懋电子广聚人才,以院士、博士等行业领军人才为核心,将进一步依托技术、品牌、渠道等综合优势,开拓国际先进功率器件封装制造技术,全力推进高端功率MOSFET、IGBT、集成功率器件的研发与产业化,持续布局半导体功率器件先进前沿的技术领域
  • LXPSEMI 澜芯半导体

    上海澜芯半导体有限公司 成立于2022年6月,公司总部坐落于上海嘉定,在张江设有研发中心,是一家全栈功率芯片设计公司,产品包含碳化硅MOSFET,硅基IGBT, MOSFET等相关芯片、单管和功率模块产品 上海澜芯半导体拥有成熟的研发团队,具有丰富的功率芯片开发经验和深厚的车规级功率半导体行业背景。 依托多年在功率半导体丰富的开发经验和深厚的车规级功率半导体行业应用背景,历经半年多的时间在2023年8月首款碳化硅芯片1200V 80mΩ SiC MOSFET就功通过了1000小时175℃ 100%Vds IGBT澜芯IGBT芯片采用先进的微沟槽器件结构,产品具有更低的导通压降与更小的开关损耗。
  • JIAENSEMI 佳恩半导体

    公司自主研发的产品涵盖了600V~1200V IGBT芯片、500V~1500V MOS芯片、400V~1200V FRD芯片,共申请了23项发明专利、43项实用新型专利,目前授权了7项发明、30项新型 并通过第三方权威机构评价,公司核心IGBT芯片技术达到国际先进水平,产品在降低导通电阻,逆变电流,尤其在可靠性方面,均领先于国内企业。在市场方面,佳恩半导体销售服务体系已完整覆盖华南、华东、华中地区。 佳恩半导体将继续以“中国芯”的社会责任为己任,不断变革创新,为节能减排、推动新旧动能转化做出贡献,同时进一步推动“中国芯”的发展进程,努力创建并成为中国功率半导体行业尤其是IGBT芯片行业的领军企业。 2016年2016.06首款IGBT芯片研发成功并上市销售;2016.021200V IGBT芯片、FRD芯片工艺平台研发成功;2017年2017. 09“创客中国”智慧芯片设计与应用创新创业大赛二等奖 2021. 12高企上市培育企业;2021.12青岛市博士后创新实践基地;2021.11青岛市技术创新中心;2021.10瞪羚企业;2022年2022. 5青岛IGBT芯片技术创新应用实验室2022.
  • Xinergy 芯达茂微电子

    2019年公司首款隔离式栅极驱动IC面世;2020年IGBT单管、模块顺利量产;2021年GaN MOSFET、SiC MOSFET器件正式上市;2022年荣获国家级高新技术企业认定;2023年车规级IGBT 大功率模块、车规级SiC芯片面世。 芯达茂秉持“创新致远,高效双赢”的理念,聚焦高端应用领域,致力于“车规级、工业级”芯片的研发。 产品优势包括:性能与可靠度对标国际领先的一流品牌;功率模块内置自主开发的芯片;高压栅极驱动芯片独具创新的隔离技术等。 主要产品IGBT单管,SiC MOSFET,VD MOSFET,SJ MOSFET,SGT MOSFET,PIM,IPM应用方案直流变频落地扇及空清机马达解决方案直流变频空调马达解决方案
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