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Advanced Photonix（API）他们的解决方案基于其获得专利的采用 III-V 材料的高速光接收器，提供 APD 和 PIN 配置并带有大面积雪崩硅光电二极管 (LAAPD)、PIN 光电二极管和 FILTRODE® 检测器。 作为美国最大的标准和定制光电二极管和光学传感器制造商之一，我们提供工程设计支持和制造能力，包括但不限于：能力商业和军用标准X射线产品（CT扫描仪、安全系统、工业检测仪器光电组件（光开关、LED、电缆组件 UDT SensorsUDT Sensors 成立于 1967 年，是美国最大的标准和定制光电探测器、光电二极管和光学传感器制造商之一。 从那时起，它已成为生产紫外、可见光和近红外探测器的硅光电二极管行业的主要参与者之一。OSI Systems, Inc 于 2002 年收购了该公司。 Laser Diode该公司成立于 1967 年，是固态激光器的主要制造商。LDI 成为激光二极管技术的领导者，并与许多至今仍在使用的基于激光的军事项目合作。
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青岳电子上海青岳电子科技有限公司QYTECH是专业的半导体光电器件、光电传感器研究、开发、销售、服务提供商。 主要产品有光敏二极管、光敏三极管、硅光电池、硅紫兰光电池、光电二极管、紫外光电二极管、红外发光二极管、光电断续器、光电传感器、光电位移传感器、太阳能电池等。产品应用广泛。
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SLKOR 萨科微萨科微产品有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片三大系列，还推出霍尔传感器、ADC、BMS新产品，在专用MCU、接口芯片方面技术积累多年！ 、ESD静电保护二极管、TVS瞬态抑制二极管等通用二极管和三极管，功率器件有高中低压的MOS管、可控硅、桥堆等，和电源管理芯片LDO、AC-DC、DC-DC芯片系列、还有传感器、高速光耦、晶振等为客户提供配套服务 荣誉资质主要产品功率器件：MOS场效应管、IGBT、可控硅、碳化硅器件、功率电子开关二极管：半导体放电管(TSS)、稳压二极管、瞬态抑制二极管TVS、静电放电ESD、肖特基二极管、快恢复二极管、超快恢复二极管 、开关二极管、触发二极管、通用二极管、高效二极管、整流桥晶体管：三极管(BJT)、数字晶体管、达林顿晶体管电源管理：栅极驱动IC、隔离式栅极驱动器、电机驱动芯片、线性稳压器LDO、DC-DC电源芯片、电池管理 、AC-DC控制器和稳压器、专业电源管理PMIC、LED驱动、监控和复位芯片传感器：环境光传感器、电流传感器、光纤/激光传感器、霍尔传感器、温度传感器光电器件：光耦、光电二极管放大器及基准芯片：通用运算放大器
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Good-Ark 苏州固锝作为世界上最大的二极管、整流器和桥式整流器制造商之一，Good Ark也是SMA/SMB/SMC和QFN/DFN封装的行业领导者，其生产的创新型分立半导体，可提高功率密度和能源效率，从而达到追求环境可持续性和成本效益的目的 苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商 苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商，从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术 主要产品包括封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管等。 MEMS产线（IDM）-8英寸苏州固锝成立于1990年，是国内二极管龙头企业，旗下子公司明锐光电、明皜传感、艾特曼电子等涉足MEMS传感器IDM业务。 (<1W)MOSFET中低压MOSFET，高压MOSFETWBG 宽禁带SiC SBD，SiC MOSFETIGBT单管IGBT光伏二极管肖特基旁路二极管模块集团其它产品太阳能银浆，基于MEMS的加速度和陀螺仪传感器产品应用开关电源
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OSI Optoelectronics作为美国最大的标准和定制光电二极管和光学传感器制造商之一，我们提供工程设计支持和制造能力，包括但不限于：能力商业和军用标准X射线产品（CT扫描仪 安全系统 工业检测仪器） 医疗产品（医疗探头和分析仪 UDT SensorsUDT Sensors 成立于 1967 年，是美国最大的标准和定制光电探测器、光电二极管和光学传感器制造商之一。 UDT Sensors 提供工程支持和制造能力，包括但不限于商用和军用、标准、X 射线、紫外线、可见光、近红外光传感器，以及薄膜/厚膜陶瓷混合模块。 从那时起，它已成为生产紫外、可见光和近红外探测器的硅光电二极管行业的主要参与者之一。OSI Systems, Inc 于 2002 年收购了该公司。 Laser Diode该公司成立于 1967 年，是固态激光器的主要制造商。LDI 成为激光二极管技术的领导者，并与许多至今仍在使用的基于激光的军事项目合作。
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Semitec 石塚石塚（SEMITEC Corporation） 是日本一家半导体企业，提供热敏电阻，热敏电阻传感器，功率热敏电阻，红外传感器，无触点温度传感器，浪涌吸收器，硅浪涌吸收器，压敏电阻，电流设备和其他电流调节二极管以及热电堆等电子产品 ，石冢电子有限公司成立；1960年，在千叶县习志野市成立新工厂，并开始生产“批量生产的热敏电阻”；1988年，在东京都墨田区建立新总部大楼，并从江户川区迁出；1992年，开始生产采用半导体技术的“薄膜传感器 主要产品温度传感器，红外传感器，风速传感器，电涌吸收器，电流调节二极管CRD，功率热敏电阻未来产品超精密高速温度传感器，超低温热敏电阻传感器，风速传感器，触觉传感器，气压传感器，窄视角热电堆，可引线键合连接 薄膜型热敏电阻FT，层压传感器(开发中)，真空绝热材用小型真空传感器，极薄玻璃基板薄膜热敏电阻传感器，热传导式制冷剂气体传感器模块 (开发中)应用领域医疗，汽车，办公用品，家用电器，消费类电子产品公司结构
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IRD美国IRD公司位于美国加州，托兰斯市，成立于1991年，专业生产用于UV、XUV、EUV和软X射线检测的硅材料探测器，是世界知名的射线探测器生产厂商。 IRD公司为世界众多知名研究机构提供探测器，其生产的5nm-250nm硅光电管通过了美国NIST认证，被指定为唯一合格供应商。 主要产品：IRD传感器，IRD探测器优价销售美国IRD传感器，IRD探测器,IRD光电二极管
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JSMICRO 杰盛微半导体JSMSEMI是一家专业生产霍尔磁性传感器SOC芯片、驱动IC、电源管理芯片（AC-DC/DC-DC)、MOSFETS场效应、二三极管、晶体管、单双三四象可控硅等的公司。 JSMSEMI杰盛微拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术，研制开发了各类磁开关系列芯片，磁速度、方向传感器芯片，线性传感器芯片，以及磁编码器芯片、包括25V~700V栅极驱动IC芯片、 JSMSEMI晶体管封装类型包括:TO-3/TO-66/TO-126/TO-126F/TO-202/TO-220/TO-220F/TO-247/TO-3P/TO-3PN/TO-3PL/MT-200封装类型等 JSMSEMI二极管封装类型包括轴向引线/通孔：R-1/A-405/DO-41/DO-15/DO-27(DO-201AD)/SOD-57/SOD-64/R-6(P-600)/1206(SOD-87)/Sub-SMA 我们每年生产超过4亿个桥式整流器，5亿个晶体管和8亿个二极管，20亿个集成电路与分立器件。承接OEM/ODM订单。
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北京京诚宏泰GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法国罗兰（FERRAZ）、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器；日本日立、黑金刚NIPPON chemi-con ；4500V高压IGBT模块；IPM模块；PIM模块；PLC模块；GTR达林顿模块 ；GTO晶闸管；普通晶闸管；快速晶闸管； 二极管；快恢复二极管；整流桥；刹车整流器；单相整流桥；三相整流桥；全控整流桥 ；半控整流桥；可控硅；双向可控硅；反并联可控硅；驱动板；IGBT驱动板；可控硅驱动板；可控硅触发板；晶闸管触发板； MOSFET管；场效应模块；电容；直流铝电解电容；交流滤波电容；启动电容器；无功补偿电容器 主要产品其他主营产品信息：电梯功率模块、富士IGBT-PIM模块、IGBT逆变模块、可关断晶闸管、西门子模块、日立电容、北京变频模块、英飞凌IGBT驱动、北京英飞凌IGBT模块电流/霍尔传感器、IGBT 驱动模块/驱动板、西门子备件、IGBT模块、IPM智能功率模块、PIM集成功率模块、可控硅、达林顿（GTR）模块、晶闸管、快速熔断器、电容、MOS管模块/场效应管模块、变频器配件、整流桥、二极管、伺服电机
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X-FAB主要技术高电压电子NVM传感器无线电频率(radio frequency)碳化硅和氮化镓WLP和3D集成硅基微流体创新ˌ革新传感器现实世界是模拟的，但是我们生活的世界正变得越来越数字化。 我们的传感器和传感器接口可以高度集成，结合了模拟精度、低噪声、各种光电二极管、（微电子机械系统）MEMS元件和3D集成。 APD/SPAD我们的雪崩光电二极管（APD）和单光子雪崩二极管（SPADs）可用于消费电子、汽车和医疗应用。... 更多气体和流量传感器我们的气体和流量传感器基于我们成熟的贵金属工艺，尤其是铂金金属化工艺...更多图像传感器与手机和数码相机等消费产品中使用的小尺寸四晶体管像素不同，...更多惯性传感器我们的惯性传感器产品涵盖 X、Y和Z轴的加速度计和陀螺仪...更多光电二极管X-FAB提供集成在模块化工艺平台中的光电二极管。
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二极管温度传感器的测试程序2024-12-05
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DT640硅二极管温度传感器2023-09-22
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DT640硅二极管温度传感器的主要技术参数2022-07-26
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DT640硅二极管温度传感器的特点及技术参数2022-07-23
