九峰山实验室实现国内首例8英寸ALD金属钼薄膜制备工艺突破
传感洞见
九峰山实验室实现国内首例8英寸ALD金属钼薄膜制备工艺突破
近日，九峰山实验室在化合物半导体中试平台上取得重要进展。通过与国内原子层沉积（Atomic Layer Deposition, ALD）设备厂商的深度合作，该实验室成功实现了基于8英寸晶圆平台的金属钼（Mo）薄膜沉积工艺开发，成为国内首家完成此项技术突破的机构。
此次突破采用MoCl₂O₂作为前驱体，通过精确控制反应条件，在400℃下实现了高性能金属钼薄膜的稳定制备。该工艺不仅在自研工艺开发方面展现出显著优势，更在国产ALD设备适配方面取得关键进展。
团队围绕国产ALD设备的反应腔结构、气体传输系统等核心模块，进行了针对性的工艺参数优化，确保了薄膜的均匀性与性能。这一成果标志着国产ALD设备在高端半导体制造中的兼容性和适用性得到实质性提升。
该ALD Mo工艺在多个先进半导体技术节点中具备显著应用潜力。在3D NAND闪存制造中，其出色的台阶覆盖率能够完美匹配垂直沟道结构，为提升存储密度与数据读写效率提供支持。在7纳米及以下逻辑芯片制造中，该工艺所制备的金属钼薄膜具备较低的电阻率，有助于降低RC延迟，实现更高的运算效率与更低的能耗。
此外，在动态随机存取存储器（DRAM）的制造过程中，高均匀性与致密的薄膜结构有助于增强器件的稳定性与使用寿命。这一技术的成熟将为国内半导体产业在先进封装与高密度集成方向的发展提供重要支撑。
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